高考狀元!
青鳥: 我們台大更厲害
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台積3奈米核心人物辭日本終身職返中國 分析：北京贏了
2026-06-02 14:29 世界日報／ 中國新聞組／北京2日電
中國科學家達博近日帶領整支核心研發團隊回國，加盟中科大擔任講席教授。(取材自游俠網)
在全球半導體競爭持續升溫之際，曾參與台積電3奈米先進製程相關研發工作的中國科學家達博，近日辭去日本國立材料研究所（NIMS）終身職位，率領核心研發團隊返回中國，受聘擔任中國科學技術大學講席教授。消息曝光後，引發半導體產業與學界高度關注，有分析指「北京在半導體戰中取得一場重大的情報與人才勝利」。
綜合大公報等多家媒體報導，現年40歲的達博出生於甘肅隴南，曾以高考狀元身分考入中國科學技術大學，完成本碩博連讀培養後，於2013年前往日本從事博士後研究。赴日僅一年，便獲得日本國立材料研究所終身職位，成為該機構最年輕的終身學者之一。
達博長年投入半導體先進製程相關研究，是少數深度參與國際一線半導體產業項目的中國籍學者。報導指出，他曾主導美國半導體設備大廠泛林集團（Lam Research）與日本國立材料研究所的聯合研發計畫，研究領域涵蓋電子束檢測設備、刻蝕製程關鍵材料及核心零組件等技術，相關成果並應用於台積電日本熊本廠3奈米量產線配套技術開發。
其中，達博團隊聚焦的電子束檢測與刻蝕材料，被視為先進晶片製造不可或缺的重要環節。業界認為，這些技術對7奈米以下先進製程的穩定量產具有重要支撐作用，也是目前全球半導體產業競逐的核心領域之一。
除了參與產業研發，達博在學術領域亦有所突破。報導提到，他帶領團隊研製出世界首塊圓柱對稱旋轉晶體，並提出「電子衍射光學」新技術方向，希望藉由電子束技術突破傳統光學系統限制，為新一代晶片檢測設備提供新的發展路徑。
此次返國決定也受到外界矚目。據報導，達博在提出離職後，曾獲日本國立材料研究所多次挽留，包括提供續聘終身職位、增加研究經費及擴建專屬實驗室等條件；泛林集團及多家海外企業亦提出優厚待遇，希望延攬或留任這位半導體專家，但最終均未能改變其回國決定。
達博受訪時曾表示，希望未來能推動中國半導體設備、材料及核心零組件技術發展，提升至世界先進水準。據了解，部分團隊成員已率先抵達安徽合肥，著手進行相關產業化平台建設工作。
大公報分析指出，目前中國半導體產業在部分設備領域已取得進展，但關鍵材料、核心零組件與高階檢測技術仍存在挑戰。達博團隊所專長的電子束檢測、新型晶體材料及高端材料製備技術，正好對應相關技術需求，因此被視為有助於推動產業升級的重要人才與研發力量。
早年以高考狀元成績進入中國科學技術大學物理學專業就讀，師從丁澤軍教授。 [5] [9]2011年12月，其工作獲第六屆國際表面科學討論會最佳海報獎; 2012年5月獲優秀學生獎第一名。
2013年赴日本國立材料研究所擔任博士後研究員，2015年成為ICYS研究員，2016年成為CMI2研究員。 2017年4月，達博憑藉tenure track階段的成果，斬獲NIMS最高獎“理事長賞”。
長期從事資訊學與材料表徵科學的結合，開發數據驅動型材料表徵技術，提出了逆蒙特卡羅方法、虛擬襯底方法等，並原創提出“白色電子”研究方法。 [2] [5]達博製備出圓柱對稱旋轉晶體（CSRC），並開創衍射電子光學領域，該成果被評價為“具有與準晶發現相當的原創性意義”。 [6]相關方法發表在Nature Commun.， Phys. Rev. Lett.等期刊。
2023年，NIMS面向社會有學術影響力的研究人員徵集宣傳語，達博提出了“材料改變世界，我們創造材料”並被採納，這也是日本國家級研究機構中唯一採用的外籍人員提出的宣傳語。
[9]2026年，受邀成為日立財團倉田獎勵金唯一外籍受訪學者; 同年，泛林集團向NIMS提供專項捐贈，由達博牽頭開展面向先進製程刻蝕裝備的核心材料與部件研發。 [7]達博辭去日本國立材料研究所永久研究職位，帶領一支由多名獨立科研骨幹組成的團隊回國發展，並受聘於中國科學技術大學。 [5-6] [8] [10]
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