中芯測試首台浸潤式 外媒估技術規格落後艾司摩爾17年

中芯測試首台浸潤式國產DUV 外媒估技術規格落後艾司摩爾17年
中國測試首款自製DUV，技術直逼ASML 2008 年推出的Twinscan NXT 1950i。

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華為正式測試國產EUV光刻機！200億專項資金加持
東莞松山湖畔的華為工廠裡，一台刻著“中國製造”的龐然大物正在全速運轉。 它投射出的極紫外光束精準落在晶圓上，刻畫出僅有頭髮絲萬分之一細的電路。

這不是ASML的機器，而是華為聯合國內產業鏈自主研發的EUV光刻機。 現場工程師透露，其核心光源效率已達3.42%，距離國際頂尖水平僅差“最後一公里”。

華為東莞基地的無塵車間內，首台國產極紫外（EUV）光刻機已完成裝機偵錯，進入晶片試生產流程。

測試資料顯示，該裝置每小時可處理250片晶圓，超越ASML同等級裝置的195片產能。 其核心光源採用哈工大研發的雷射誘導放電電漿體（LDP）技術，能量轉換效率達到ASML方案的2.25倍，裝置體積卻縮小了30%。


聽說美國先前開放 EDA 突然又停止 ..真的嗎? EUV 可是很難啊

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chatGPT

華為目前正積極開發自有的極紫外光（EUV）光刻機，旨在突破美國對中國半導體設備的出口限制，並挑戰荷蘭ASML在全球EUV市場的壟斷地位。

📌 技術創新：LDP vs. LPP
華為的EUV光刻機採用全新的激光誘導排放等離子體（Laser-Induced Discharge Plasma, LDP）技術，與ASML的傳統激光生成等離子體（LPP）技術有所不同。LDP技術具有結構簡單、能效高、成本低等優勢，預計將在2025年至2026年第三季度實現大規模生產。
🏗️ 上海研發中心：打造光刻機生產基地
為支援光刻機的研發與生產，華為在上海青浦區建設了一個大型研發中心，計劃開發與ASML、佳能和尼康等公司設計的系統相抗衡的半導體製造設備。該中心預計總投資為120億元人民幣，佔地面積相當於224個足球場大小，一旦建設完成，將可容納超過35,000名員工。

🤝 與中芯國際合作：實現製程突破

華為與中芯國際（SMIC）等中國本土半導體製造商合作，致力於將自研的EUV光刻機整合到現有的製程中。目前，華為的合作夥伴中芯國際和華虹半導體無法取得能製造基於14nm/16nm FinFET製程技術的邏輯晶片的光刻機，但仍可取得適用於28nm的光刻系統。因此，華為研發的光刻機至少需要達到28nm的製程水平，最好能達到14nm/16nm的製程水準。

⚠️ 技術挑戰與未來展望
儘管華為在EUV光刻機的研發上取得了一定進展，但仍面臨一些技術挑戰，包括：
排放脈衝優化與參數調整
輸出功率與解析度穩定性
與現有製程的整合與兼容性

如果華為成功開發出具商業化能力的EUV光刻機，將對全球半導體供應鏈產生深遠影響，特別是在美國對中國半導體設備出口限制的背景下

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激光誘導放電等離子體（Laser-induced Discharge Plasma, LDP）是一種用於產生極紫外光（EUV）的先進技術，特別適合應用於半導體製造中的光刻設備。
它的基本原理是：使用激光轟擊金屬靶材（如錫），在兩個電極之間形成等離子體雲，然後施加高電壓觸發放電，進一步激發出13.5奈米波長的EUV光。這種方法與ASML主流的LPP（Laser-produced Plasma）技術不同，LDP結構更簡單、體積更小、能效更高，且成本更低。
LDP 的幾個技術亮點包括：
- 高能量轉換效率：實驗顯示在15kV電壓下，EUV總能量可達65mJ，轉換效率約0.23%。
- 光譜純度高：可達1.69%，對於半導體製程中的精密需求非常關鍵。
- 結構簡化：不需要複雜的高功率雷射與控制系統，便於量產與維護。
雖然LDP在早期曾被LPP取代，但隨著技術進步，它在掩模檢測、顯微成像等領域重新獲得關注，甚至被視為突破EUV設備壟斷的潛力技術之一。

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ASML 的 EUV 技術目前不是死胡同，但它確實面臨潛在的瓶頸與競爭壓力。

讓我們深入探討。 ASML EUV 技術現況
ASML 是全球唯一能夠量產 EUV（極紫外光）光刻機的公司，使用的是 LPP（Laser Produced Plasma） 技術。這項技術是實現 7nm 以下製程的關鍵，所有高階晶片（如蘋果A系列、NVIDIA GPU、Intel新一代CPU）都依賴這套系統。

優勢：
無可取代：目前全球其他公司都無法生產同級產品。
成熟商業化：已被台積電、三星、Intel 廣泛使用。
持續迭代：已推出 High-NA EUV（解析度更高，支援2nm以下製程）。

⚠️ 潛在問題與死胡同可能性
1. 技術複雜度與成本
單台 EUV 光刻機成本超過 2 億美元。
極端真空、高功率雷射、高度穩定光學系統，製造難度極高。
維修、運行成本極大，且對供應鏈依賴非常深。

2. 極限接近
傳統 EUV 已接近物理解析度極限（13.5奈米波長）。
雖然 High-NA EUV 推進了製程能力，但進一步進展難度更高，需新材料、新製程輔助。

3. 新技術挑戰
華為等企業正嘗試 LDP（Laser-induced Discharge Plasma），號稱結構更簡單、成本更低。
美國 DARPA、歐洲研究機構也在探索 multi-beam e-beam、X射線光刻 等替代方案。
無光刻製程（如原子層堆疊、3D架構自組裝） 也在實驗階段。