john65537 wrote:
不吃菜菜小娃 wro...(恕刪)
你似乎沒看清楚這代表什麼？
然後你說台灣沒有生產光刻機？是誰告訴你的？
沒多高等級啦傳統的Mask Aligner
科毅科技
https://www.chinatimes.com/opinion/20240922003016-262110?chdtv
然後你現在用Mask Aligner 去找看看有沒有中國貨？
請注意這家公司的產品大陸一堆。
請問突破了什麼原物料嗎？沒有！一樣都沒有。
stever2018 wrote:「晶圓直徑300mm，照明波長248nm，解析度≦65nm，套刻≦8nm」
你們是不是誤會了,
這規格看像是65nm曝光機
套刻精度,
是指每一層metal之間曝光位置的誤差
一個IC產品,
簡單的也需要6層metal, 複雜的要10-12層metal
每一層之間位置誤差8nm,
疊在一起, 不可能造出8nm的元件與電路
stever2018
樓主
我引用的新聞是比較早期....後面不斷有人補充資料,從8奈米升級到28奈米.現在是65奈米https://finance.ettoday.net/news/2821398(只要敢貼錢就能辦到)
Intel, GlobalFoundries和UMC也沒有老美管制，想要跟ASML買先進曝光機有錢就買的到啊，但他們量產3nm了嗎? 講難聽一點就算有整套tsmc的晶圓廠設備複製過去，也不一定做得出來，像三年前韓國和日本鬧翻，韓廠被限制一些半導體材料進口，Samsung原本製程能力追得和tsmc差不多的，才這一兩年就落後便知。
tteffuB 特肥吧 wrote:
這就是制裁的威力
沒ASML也沒差？大陸成功自產光刻機 專家曝落後台積電真相
2024/09/24 中時新聞網
邱怡萱
美國晶片管制反而激勵大陸技術突破，大陸工信部9月初公布「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」的通知中，列出可用於生產65奈米或以下晶片的氟化氬光刻機（DUV曝光機），可減少對國外曝光設備的依賴。知名外資分析師楊應超接受「文茜的世界周報」專訪時說，65奈米還落後台積電3奈米8個世代，大陸至少要5到10年才能追趕上。
楊應超表示，大陸半導體最大的問題是供應鏈被卡住，其中光刻機是最大的關卡，因此大陸自產光刻機成功，確實值得他們高興。不過重點是這台光刻機只有65奈米，落後台積電3奈米8個世代，這8個世代分別為45奈米、32奈米、22奈米、14奈米、10奈米、7奈米、4奈米及3奈米。
楊應超強調，半導體製程越小，所需的技術就越困難，當進度越來越後面，研發時間就越拉越久，因此，雖然大陸成功自產光刻機很值得慶祝，但從技術上來講看，可能還差得很遠。
資料來源 ： Redefine Innovation
「中國自製DUV機台： 曝光機的研發難度到底有多高？到底中國自製曝光機和ASML的差距有幾年？」
中國自製DUV ArF曝光機的新聞出來後，一開始是台灣的媒體有很多的報導。但是有很多人被8nm的「套刻精度」所誤導，所以就有很多人誤傳中國自製DUV的機台能夠做到8nm的節點。
這兩天終於大家醒過來了，開始有比較多人認真的討論ArF曝光機的精度能夠做到多少 (其實大概是65nm上下，看機型)，也對中國自製DUV ArF機台的性能有比較公平的討論。
而接下來大家在討論的問題是，究竟中國的曝光機技術離ASML的最頂級機台有多少年的技術差距？and浸潤式immersion的曝光機ArFi中國是否已經差距不大，快要做出來了？
身為一個前ASML負責銷售ArFi浸潤式曝光機immersion hood的產品經理，我想我應該可以對這些東西的技術難度給出比較公平的評價。(immersion hood只是其中一個產品，當時負責超過1000項機台的升級產品)
有些人覺得做出ArFi浸潤式曝光機應該不遠了，但是，我覺得大家可能忽略或忘記當時大家從乾式曝光機到浸潤式曝光機出來的那一段時間，當時遇到的技術屏障有多高。
比如，當時為了把水放在曝光機和晶圓中間，又要保持超級快的曝光速度，又不會產生泡泡而形成defects的immersion hood的設計，就傷透腦筋，有非常高的技術含量。
甚至，在第一代的immersion hood出來後，接下來十幾年ASML還是不斷地去精進immersion hood的技術，可能也是比較少人知道。
而這還是其中的一種技術屏障，要從ArF跨越到ArFi的精度，還有機構、整個控制系統、光學、模擬等屏障需要跨越。所以，其實就算從ArF到ArFi浸潤式的機台，就已經有很大的技術屏障要跨越了。
更不用說接下來ASML花了起碼十年以上才開發出來的EUV機台。有關EUV機台的開發難度分析，我們之前有寫過一篇文章，來聊ASML的Open Innovation和EUV的開發難度，我想是值得對這個題目有興趣的人閱讀的文章～所以我們會把文章連結放在下面留言處，有興趣暸解的人可以讀一下～
所以總體來說，假設順利地做出ArFi的機台需要5年，然後做出EUV曝光機需要再10年，那麼，合理的評估中國要能做出EUV曝光機的時間，應該還需要再15年。
這應該算是很客觀的分析、雖然有些人會生氣
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