中芯測試首台浸潤式 外媒估技術規格落後艾司摩爾17年

TONY1978 wrote:
上海微電子

shuling0909 wrote:
希望華為在測試國產EUV...(恕刪)

john65537 wrote:
   .. 自主研发的固体激光器驱动EUV光源，能量转换效率突破3.42%，超越欧洲水平直追ASML的5.5%。

中国高端光刻机取得了显著进展，具体如下：

EUV光刻机方面

- 光源技术突破：哈尔滨工业大学赵永蓬教授团队研发的DPP技术，通过粒子加速辐射生成极紫外光，能量转换效率提升50%，设备体积缩小40%，核心部件国产化率100%。中科院上海光机所林楠研究员团队自主研发的固体激光器驱动EUV光源，能量转换效率突破3.42%，超越欧洲水平直追ASML的5.5%。

- 原型机试产计划：采用激光诱导放电等离子体（LDP）技术的国产EUV光刻原型机在东莞启动测试，计划2025年第三季度试产，2026年量产。

DUV光刻机方面

- 上海微电子装备集团已能稳定生产90nm光刻机，28nm设备也正在测试中。2024年9月9日，工业和信息化部印发的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》中，包含国产氟化氪光刻机（110nm）和氟化氩光刻机（65nm）。

- 中国科研人员将193nm ArF浸没式DUV光刻机与自研的图形修正算法结合，实现了用DUV光刻机制造5nm芯片的重大突破。

总体而言，中国在高端光刻机领域不断取得突破，逐渐缩小与国际先进水平的差距，有望打破国外垄断，提升中国在全球半导体产业中的话语权。

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不免擔心，台灣的晶圓代工還能賺多久? [].(恕刪)

taiwan2008 wrote:
華為正式測試國產EUV...(恕刪)

john65537 wrote:
自主研发的固...(恕刪)

PainterJ wrote:
看到中國把資源用在錯誤的地方，感到暖心。