邪惡小多 wrote:
中芯用舊機器做7奈米晶片,良率一定很低,是不合成本的。
目前做法應該就是不計成本硬幹,把消息放出去,讓ASML鬆動光刻機的限制。
沉浸式DUV極限就是N7............
台積電的 N7 也是用 DUV 做出來的.........N5才開始使用 EUV, 這就是為何美國不讓 ASML賣EUV進大陸的原因了
台積電 N7 用沉浸式DUV+double曝光 or 四次曝光做出來.........製程的精準度是重點, 不知道SMIC有無辦法控制得這麼好?
只要SMIC拿得到沉浸式DUV, 就可以做得出N7來......畢竟梁孟松台積電RD出身, 知道要怎麼玩, but RD做出來是一回事, 交給產線後可以做出多少Yield又是另一回事了

1.各廠同樣都叫7nm,密度可不見得都同級
(中芯號稱得7nm啥等級自己去查,連中芯自己都不敢講跟tsmc 7nm是正同級的東西,更不用說是去比intel舊稱的7nm)
2.duv要硬上的話,想像IBM那樣號稱生產出極小尺寸等級的製程晶片都可行,只要無視良率的話,一整片Wafer上總有幾顆是能正常工作的(通常這就實驗室在幹的事)
3.從新聞提到的先出加密運算晶片,其實就是礦機用晶片,為何先出礦機?
因為礦機用的晶片尺寸小,電路結構也比較單純,在良率與產出尚不足的前期階段比較可以硬上,基本上是把廢片當成學習成本,良品賣出的收入補貼練手用(這個不久前intel也幹過)
4.有其他新聞提到逆向工程(就顯微去檢查)發現結構特徵抄tsmc,這之前三星也幹過,不過這樣搞在大陸國內賣可能沒事,要出口國際就會有問題,而且中芯早有被告過賠過的前例,所以也不稀奇就是了
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