Nelson5 wrote:
大部分的晶片其實不需(恕刪)
有些美國公司如果被陸資逐出市場，台灣這邊也不會好過，因為文中有些公司在台灣養了不少工程師...
不哭錄 wrote:
https://finance...(恕刪)
這是因為傳言美國可能把美國技術占比25%降低到10%來打擊華為
那樣台積電的16nm就沒辦法對華為出貨了
華為應該是為了避免這種不確定性, 而把單轉給中芯
但是也別高興太早, 認為可以14 10 7 5這樣一路下去
未來有幾個關卡要過
1.四次曝光對準技術, 這個卡了intel非常久, 直到現在10nm(相當於TSMC 7nm)也還沒辦法真正大量生產, 而samsung也只能做到8nm(但其實根本就是samsung的10nm小改一下掛羊頭賣狗肉, 大概跟TSMC的10nm差不多水準而已), 7nm乾脆直接用EUV, 所以目前用DUV做出7nm且大量生產的只有TSMC
2.ASML要出貨給中芯的EUV現在被老美介入而扣住不能出貨, 中芯至今沒接觸過EUV, 所以在7nm以下會遇到的問題要怎麼解決, 中芯是完全沒概念, 而TSMC, Samsung早在四五年前就在玩EUV了, 中芯要追上將會是極為困難的事
我覺得堵著堵著. 最後又複製了GPS/北斗的老路, 高鐵, LED , 結果最後養出中國另一個科技怪物領域
intel 和三星多重曝光的方式其實也只差一步之遙, 像是三星的 8nm就是多重曝光的方式
中國其實也在研發光刻技術, 去年的工程機採用的365納米波長光源，單次曝光可以達到22納米，利用多重曝光技術即可實現10納米以下製程晶片的製造, 如果365納米光源就可以到10nm, 那成本和耗電可能會比EUV 或者其他雷射氣體光源這種需要超級大能量的少上好幾倍
對了, 要把雷射光轉化成深紫外光的材料叫做 KBBF (氟代硼铍酸钾晶体）, 這是一種非線性光學晶體, 發明人叫做陳創天(中國科學院院士), KBBF是目前唯一可直接倍頻產生深紫外激光的非線性光學晶體用途廣泛, 我不確定 ASML的EUV有沒有到KBBF, 但是如果有用到, 那禁運真的超奇怪, 會不會搞到最後, 你禁運我EUV曝光機, 我禁運你KBBF
KBBF在2001年被陳創天發現並實現具體化實用, 實際技術內容被中國列為國家機密, 一直到2016年美國APC才宣布它們也可以開發出類似KBBF的產品, 破除了長期以來中國對該晶體的技術封鎖。
陳創天的團隊後來的研究都在雷射和深紫外光, 也有些計畫是和日本或者歐洲國家合作, 像是全世界第一台透過真空紫外雷射光角分辨光電子能譜儀就是它們完成, 這個團隊十幾年開枝散葉, 至少又養出了兩個科學院士, 還有好幾百專業研究員
所以, 堵死中國, 不要弄到最後全世界第一台 1nm的曝光機變成中國研究製造完成...到時候大家就糗了...
2009年 Nature 雜誌的封面 (內文提到中國藏起這個晶體的技術造成的嚴重影響)
2016年 美國APC公司網站上發表的聲明(原文轉翻中文)：
KBBF是一種非線性光學晶體材料，它能夠將雷射光轉化為無可比擬的176納米波長（深紫外）雷射，從而可以製造出深紫外固體雷射器。這一項目花費了15年時間和數以百萬計的美元。
世界上第一塊KBBF晶體是由中國科學院陳創天院士領導的研究團隊於（1990年發現）製造出來的，中國最初向全世界的研究者開放提供KBBF晶體。然而，到了2009年，中國意識到這種晶體的戰略意義，隨即停止對外出口。美國APC公司（聯邦國有企業）與克萊門森大學合作從當時開始研製這種晶體，到今日APC公司成為了美國國內唯一生產這種戰略性材料的企業。
APC公司的KBBF晶體現在已經經過了測試和評估，並展示出了可與中國製造的同類產品相媲美的性能，並且在部分領域有所超越，這將大幅度降低這種材料的成本。
KBBF在高功率狀態下紫外線性能比上一代BBO 晶體性能好兩倍，並能夠用於製造超高速雷射掃描設備，這將大大提高美國國防和國土安全威脅探測能力，對美國科學研究和精密測量能力的提高而言，KBBF具有“規則改變者”的意義。目前APC公司還在繼續進行這種產品的開發。
meridian wrote:
這是因為傳言美國可能(恕刪)
也不是那麼多產品非用7nm,5nm不可,如果Server用的CPU就沒絕對必要,
禁止輸入中國,代表中國只能自己搞,自然形成一個有需求的保護市場,
很多東西不是做不出來,需要時間,這類公司雖然大部份是靠政府補貼,
如果是開放市場,新公司就算做出來了,還是無法面對成熟外商的競爭,
ASML的東西,中國有團隊在做,而且是10奈米以下的研發,
團隊成員當然全是本來在國外有相關經驗的組成,
不過這種東西要調到理想的良率,還要很多很多年,
反正半導體走到14nm,再往下的空間很有限了.
有些人認為技術能偷,就算把全套技術文件都偷來台灣好了,
全台灣應該也沒辦法仿制出ASML一樣的東西,沒人才,沒相關產業配套,
在中國也是一樣,從做出樣機,要調到可以生產,都有很大的門檻.
Nelson5 wrote:
去年的工程機採用的365納米波長光源，單次曝光可以達到22納米，利用多重曝光技術即可實現10納米以下製程晶片的製造, 如果365納米光源就可以到10nm, 那成本和耗電可能會比EUV 或者其他雷射氣體光源這種需要超級大能量的少上好幾倍
對了, 要把雷射光轉化成深紫外光的材料叫做 KBBF (氟代硼铍酸钾晶体）, 這是一種非線性光學晶體, 發明人叫做陳創天(中國科學院院士), KBBF是目前唯一可直接倍頻產生深紫外激光的非線性光學晶體用途廣泛, 我不確定 ASML的EUV有沒有到KBBF, 但是如果有用到, 那禁運真的超奇怪, 會不會搞到最後, 你禁運我EUV曝光機, 我禁運你KBBF(恕刪)
別人用193nm浸潤式微影, 單次曝光也只能做到28nm, 你用365nm汞燈就能曝22nm? NA 2.5以上超級巨無霸lens?
物理極限全世界都一樣 , 不會因為到了中國就不同了
自爽文看看就好
現在的193nm是用ArF雷射, 人家是用氣體激發的....跟你的KBBF一點關係都沒有
EUV 13.5nm的波長是用二氧化碳雷射打擊錫滴, 讓錫滴蒸發成電漿態, 電子能階回落的過程放出13.5nm波長的紫外線
所以現在的半導體曝光設備, 跟你google還是百度來的東西一點關係都沒有
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