中國能打造自己的 ASML 嗎

這應該 2 間不同公司 , 做得方面不同 , 可能 EUV DUV . 不過 不是日本還有 NIL 技術 ?

欣凱來 深圳 好像 EUV
宇量昇 上海 好像做 DUV . 聽說 機台跟SMIC 調整中

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其實現在 finfet 下 , 多少 nm 跟 bulk cmos 的 Length 不同了 , 實際上 16nm 7nm 不是只 7nm , tsmc 不想買太多 high NA EUV 就是機台很貴 .



7nm 工艺的栅极间距（Gate Pitch）和金属间距（Metal Pitch）通常在54 纳米和36 纳米左右，但具体数值会因厂商和不同设计库而略有差 ， Intel 的7nm ，其栅极间距是54 纳米，金属间距是36 纳米。台积电和三星的7nm 工艺，其栅极间距和金属间距会略有差异，但大致在这个范围内。

ASML 是全球領先的半導體設備製造商，DUV 光刻機是其主要產品之一。 DUV 採用深紫外光(波長約為193 納米) DUV 系統被廣泛應用於生產從28 奈米到7 奈米甚至更精細的晶片 。

乾式DUV : ASML 的乾式DUV 光刻機在精度方面，分辨率約為65 奈米。早期型號乾式DUV 的套刻精度約為7-8 奈米。 然而，ASML 的更先進DUV 光刻機，如XT1460K，其套刻精度可達到3.5 到5 奈米

浸潤DUV :ASML 的浸潤式DUV 曝光機在半導體製造中扮演著重要角色，ASML 的最新浸潤式DUV 曝光機，如Twinscan NXT:2000i，其套刻精度可達1.3 奈米。

EUV: ASML 的EUV（極紫外光刻）技術，利用波長為13.5 奈米的極紫外光，

DUV 要做更先進 就多重曝光 ，中芯國際就使用DUV 多重曝光結合SAQP 技術來製造7 奈米製程的晶片，

DUV 多重曝光(Multiple Exposure) 是指使用深紫外光(DUV) 光刻技術，通過多次曝光來實現更精細的圖案，以達到更小的線寬和間距。 這是一種突破物理極限，讓晶片製造商能夠在沒有極紫外光(EUV) 光刻機的情況下，也能製造出高性能晶片的技術。

中芯國際(SMIC) 聲稱已使用國產的深紫外光(DUV) 設備，成功量產7 奈米和14 奈米晶片。 儘管如此，一些分析認為，中芯的實際技術水平可能只達到65 奈米，與業界領先的ASML 仍有差距

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中國能打造自己的 ASML 嗎 ? 上海微電子裝備公司（SMEE）微影設備，產品最高僅支援 90 奈米製程。
另外，中芯宣稱以國產 DUV 設備量產出 7 至 14 奈米晶片，但多方分析，其實際技術仍僅能達 65 奈米，與 ASML 相較有十年以上落差，顯示中國自研設備在實際量產與精度仍面臨極大挑戰。

被封鎖下 很難 .. 中國需更多時間吧
EUV 不容易做