根據 2025 年底至 2026 年初的最新產業動態，上海微電子（SMEE）研發的 SSA800 系列（28nm 浸沒式 DUV 光刻機） 的量產與交付進度如下：
1. 量產與交付現狀正式進入量產階段：截至 2026 年第一季，SSA800 已正式從研發驗證轉向規模化量產。首批
批量交付完成：中芯國際 (SMIC)：首批設備已進入產線進行協同調試，良率穩定在 90% 以上。
青島新核芯 (富士康旗下)：據報已訂購 32 台 SSA800，其中首批 12 台已於 2026 年 3 月投入量產線，用於生產 5G 射頻模組等晶片。
市場目標：預計 2026 年全年國產 28nm 機型出貨量將達到 50 台，較往年呈現翻倍增長。
2. 技術規格與國產化率核心參數：單次曝光解析度達 28nm，套刻精度（Overlay）小於 2.5nm。
國產化突破：該機型的核心部件國產化率已突破 85%，關鍵組件如雙工件台（華卓精科）與投影物鏡（國科精密）均已實現自主化。
工藝延伸：透過多重曝光技術 (Multi-patterning)，SSA800 已被證實具備支撐 7nm 甚至 5nm 等級晶片生產的能力，華為等企業正利用此路徑突破先進製程限制。
3. 市場影響打破壟斷：隨著 SSA800 的批量交付，ASML 在中國成熟製程市場的份額開始出現下滑壓力。成本優勢：國產設備的採購成本較 ASML 同類產品低約 30%。
中國半導體自主化率的提升 ........感覺也不慢
多重曝光 就能幹到7奈米.........成熟製程中國要打成白菜價 全包圓了
美國拉了聯盟 禁成熟製程 DUV............禁了個寂寞? 是在放馬後炮?
sson6055 wrote:
根據 2025 年底...(恕刪)
現在還沒會對ASML產生很大的影響，因爲上海微電產能還在爬坡。三年，三年左右應該還有一到二家有成熟的DUV出來，那時候中國式內卷就會把價格打下來，之後就開始出海找買家，那時候就真的會影響ASML。當ASML的DUV賣少了，就要依靠EUV來抓利潤，但EUV太貴了，買家就那幾個。。。當然，ASML也不是什麼都不做等着，可能到時又有新技術，中國又要來追趕。。。
1. 增強型 DUV（SSA900 / 22nm-14nm）此路線旨在進一步挖掘深紫外光（DUV）的極限，透過更高的數值孔徑（NA）與更佳的套刻精度，降低多重曝光的難度。
型號預測：業內普遍將其稱為 SSA900 系列。
技術指標：解析度：原生支持 22nm 甚至 14nm 製程。
多重曝光應用：配合浸沒式系統與國產多重曝光技術，目標是更穩定地實現 7nm 甚至 5nm 等效製程的商業化生產。
研發進度：部分傳聞指出原型機已於 2024-2025 年間在特定晶圓廠進行聯調測試。
2. 極紫外光（EUV）路線這是真正跨代次的「下一代」，旨在打破 ASML 在 7nm 以下製程的壟斷。
研發狀態：目前處於原理機搭建與核心部件攻關階段。
核心突破：
光源系統：已研發出 13.5nm 鐳射等離子體（LPP）極紫外光源，由哈爾濱工業大學等團隊協作完成。
工件台：已完成定位精度達 0.5nm 的 EUV 高精度雙工件台研發。
光學鏡頭：國產 EUV 光學鏡片表面粗糙度已達 0.05nm 以下。
預計時程：
原型機組裝：2025 年底已在深圳完成首台 EUV 原型機組裝並進行初步光刻試驗。
量產目標：雖然中國媒體與企業設定了 2028 年開始量產 的目標，但國際專家普遍認為將原型機轉化為穩定的商業量產系統仍需約 10 年時間。
3. 特色工藝與封裝（下一代 2.5D/3D 封裝）上海微電子也推出了針對先進封裝的下一代設備，應對大尺寸晶片集成需求。
特點：具備高解析度、高套刻精度與超大曝光視場（Super-wide Field）。
用途：支持 Chiplet（小晶片）技術、HBM（高頻寬記憶體）等異質集成封裝，目前已與多家國內封測龍頭達成交付協議。
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