韓國科學技術院（KAIST）近期發表一篇長達 371 頁的論文，詳細描繪高頻寬記憶體（HBM）技術至 2038 年的演進路線，涵蓋頻寬、容量、I/O 寬度與熱功耗等面向的成長。該藍圖涵蓋從 HBM4 到 HBM8 的技術發展
高頻寬記憶體（英語：High Bandwidth Memory，縮寫HBM），是三星電子、超微半導體和SK海力士發起的一種基於3D堆疊技術的高效能DRAM，適用於高記憶體頻寬需求的應用場合
HBM (高帶寬記憶體):
特點: HBM採用3D 堆疊技術將多個DRAM 芯片通過矽穿孔(TSV) 技術垂直連接實現極高的數據傳輸帶寬。
優點:高帶寬、低延遲、高能效，適合於對數據吞吐量要求極高的應用。
缺點:成本較高、容量相對較小，主要用於特定應用，不適合大規模的通用內存需求
內文搜尋
從 APP 打開
X