中國實現國產DUV曝光機可生產8奈米及以下晶片

【國際中心／綜合外電】中國工信部近日公布一項通知顯示，中國已取得重大技術突破，研發出深紫外光曝光機（DUV），可生產8奈米及以下晶片，目前正在推廣應用。

中央社報導，中國工業和信息化部官網9日公布「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」的通知，下發地方要求加強產業、財政、金融、科技等國家支持政策的協同。

中國工信部稱，重大技術裝備是國之重器，事關綜合國力和國家安全。「中國首台（套）重大技術裝備」是指國內實現重大技術突破、擁有智慧財產權、尚未取得明顯市場業績的裝備產品，包括整機設備、核心系統和關鍵零部件等。

這份目錄顯示，在積體電路生產裝備，其中一項是「氟化氬光刻機」（DUV曝光機），核心技術指標是「晶圓直徑300mm，照明波長248nm，分辨率≦65nm，套刻≦8nm」。這也代表，這台國產DUV可生產8奈米及以下晶片。

中國大陸科技自媒體今天轉發消息後稱，中國自己的DUV曝光機終於來了，雖然與荷蘭艾司摩爾（ASML）曝光機存在代差，至少己填補空白，可控可用，期待之後能研發出更先進的極紫外光曝光機（EUV）。

美國5日才宣布收緊製造先進半導體設備所需機器的出口管制，荷蘭政府隔天跟進，宣布擴大限制半導體製造設備出口，。

路透社報導，ASML的1970i和1980i深紫外光曝光機（DUV）輸出中國會受到影響，兩款機型大約是ASML所屬DUV產品線的中階位置。

中國若實現國產8奈米及以下製程DUV，未來絕大多數晶片製造，將不用受制於ASML。