blueozone0130 wrote:
怎麼會有天才認為華為的晶片是用別人不熟悉的設計及生產方式製造？
我是不知道除了MOSFET、FinFET、GAA結構外，華為還搞出哪些新結構？
不如請你這位天才解釋一下這到底是什麼華為獨創的新技術如何？
說你不懂還在裝...看報紙剪貼而來的..裝啥業內?
MOSFET FINFET 要做不難..要如何避開美國的這限制而縮小體積很難..???
華為申請了一項名為「晶片堆疊結構及其形成方法」的專利。
使用的是一種使用了3D堆疊技術的晶片，讓兩塊不那麼先進的晶片組合在一起，實現「1+1大於2」、比較先進的效果。
這種技術式目前是華為獨有的沒有人用這種方式做過...連美國也不了解的技術...只能用等效來判定其奈米數...
兩個14奈米加14奈米堆疊會等於7奈米??
到今天為止9000S已出貨超過1000萬台...儼然不是庫存貨..上市至今超過一年.到底在哪製造...依舊是個謎...如何做出等效7奈米也是一個謎??
美國都搞不清楚?你比美國厲害??如果是中芯做得早就對中芯下重手了..美國國會議員還曾提議突襲參訪中芯看是否幫華為代工???
要不然你說說9000S怎麼做出來的...為何能避開美國的制裁???
美國商務部長吉娜·雷蒙多在參議院商務委員會的聽證會上指出，有關中國華為技術有限公司在晶片上取得突破「極其令人不安」
美國的商務部長都承認華為在晶片技術上已取得突破...你比美國商務部長還厲害???
warrenwang111 wrote:
使用的是一種使用了3D堆疊技術的晶片，讓兩塊不那麼先進的晶片組合在一起，實現「1+1大於2」、比較先進的效果。這種技術式目前華為獨有的沒有人用這種方式做過...連美國也不了解的技術...只能用等效來判定其奈米數...
真的好棒棒欸
1.麻煩你說說華為新技術是啥？
2.不那麼先進
你是在酸華為技術不先進嗎？怪不得Mate 70的SoC比前代大
3.到底華為新技術先進不先進？ 你又說不那麼先進的晶片，請問你知道你自己在說甚麼嗎？
4.實現「1+1大於2」、比較先進的效果。這種技術式目前華為獨有的沒有人用這種方式做過
這種需要犧牲體積的方式，其他人需要嗎？
這種需要犧牲體積的方式，其他人需要嗎？
我繼續看你表演～
對了，不要7pupu，你真的是巷子內內內
業界人士都不敢拿DRAM製程來說嘴邏輯製程，沒想到妳居然有此“獨到”的眼界，真的是巷子中的巷子
blueozone0130 wrote:
真的好棒棒欸
1.麻煩你說說華為新技術是啥？
2.不那麼先進
你是在酸華為技術不先進嗎？怪不得Mate 70的SoC比前代大
3.到底華為新技術先進不先進？ 你又說不那麼先進的晶片，請問你知道你自己在說甚麼嗎？
你現在是連中文都看不懂嗎???還是根本外行到無法理解我在說啥??
1...三D堆疊是華為的新技術使用兩塊不那麼先進的晶片組合在一起，實現「1+1大於2」可以做到等效7奈米....
華為申請了一項名為「晶片堆疊結構及其形成方法」的專利。
這種技術你當然不懂...連美國都不懂...美國商務部長都承認華為取得突破了...沒有人使用過這種方式設計晶片...
不懂不可恥...裝懂或是胡說八道才是可恥....這樣的中文解說不知你看懂了沒
2...9000S為 107mm²...9020雖比其大了13%...但是有可能是封裝的需求...沒磨開前到底晶片體積多大還不依定..
9020還把衛星通訊模塊做在裡面...你說它體積大...那總比外加衛星模塊多一個IC加上周邊零件小吧...這也是華為首創...
3..你是真看不懂中文還是裝傻???小學程度的中文你看不懂??小時候要多念書...中文很重要..
華為很厲害就是自己研究新的技術...在一年前就能繞過美國的制裁而做出等效7奈米的晶片....
日本、美國拿到華為Mate 60進行了拆解，確定了一件事兒，華為Mate 60手機芯片的確是中國的產業鏈生產出來的。跟谷歌無關、跟高通無關，任何西方半導體工具製造商無關
中文很重要...小時候要多念書...
warrenwang111 wrote:
1...三D堆疊是華為的新技術使用兩塊不那麼先進的晶片組合在一起，實現「1+1大於2」可以做到等效7奈米....華為申請了一項名為「晶片堆疊結構及其形成方法」的專利。這種技術你當然不懂...連美國都不懂...美國商務部長都承認華為取得突破了...沒有人使用過這種方式設計晶片...不懂不可恥...裝懂或是胡說八道才是可恥....這樣的中文解說不知你看懂了沒2...9000S為 107mm²...9020雖比其大了13%...但是有可能是封裝的需求...沒磨開前到底晶片體積多大還不依定..9020還把衛星通訊模塊做在裡面...你說它體積大...那總比外加衛星模塊多一個IC加上周邊零件小吧...這也是華為首創...3..你是真看不懂中文還是裝傻???小學程度的中文你看不懂??小時候要多念書...中文很重要..
笑死！
你還能繼續演欸！
其實一開始看到你這種
拿DRAM來比邏輯的人，我就沒啥期待了
結果你還在繼續演，真的好棒棒！
1.麻煩你證明一下，這次的9020是用晶片堆疊結構及其形成方法專利，如何？
2.等效7奈米？ 可是你的朋友們都在宣傳這次是等效5奈米欸！
3.不管你什麼堆疊啦，晶片面積變大，體積會不會變大？散熱會不會增加？ 這次又要附帶煎蛋功能嗎？ 你確定這種堆疊在熱量增加的情況下還能達到 1+1＞2的效果？
4.說的這堆疊技術很棒？ 其他公司可以直接拿到5432奈米的晶片，需要這種堆疊技術嗎？需要犧牲晶片體積嗎？ 需要犧牲能耗嗎？
你說的堆疊，不過就是華為不得已才玩的技術，對於其他公司根本就不需要，怎麼這點能被你拿來宣傳？ 我也是滿頭問號？？？
再強調一次
會拿DRAM來比邏輯的人，我真的一點都不期待....
blueozone0130 wrote:
對了，不要7pupu，你真的是巷子內內內
業界人士都不敢拿DRAM製程來說嘴邏輯製程，沒想到妳居然有此“獨到”的眼界，真的是巷子中的巷子
你不要老是說業內...感覺真的很丟臉...對於一個完全外行的人..好還好意思說自己業內...
早期韓國日本的記憶體幾乎都是6吋八吋晶圓..製程大概是24到18奈米....製程比較好的是美光...
現在因為手持式裝制崛起...會去縮奈米數不是因為本控制...主要是因為耗電溫度...
溫度升高就耗電...桌機以前不怕耗電過熱加散熱片...手機不行..依熱電池就沒電...
記憶體本身沒有啥邏輯製程...不像依般CPU.GPU動輒幾十億個電晶體...
GeForce RTX 3090/3080/3070 系列顯示卡，晶片製程從 TSMC 12nm FFN 轉換至 Samsung 8N（N 都是指 NVIDIA 客製製程的意思）.NVIDIA 還是在更小的晶片面積之中塞入 28 億個電晶體（GA102)
但是記憶體為何要去縮奈米數??或為啥不縮到更小...因為主要要省電..不縮奈米數就辦不到...縮更小良率怕會差所以目前三星高階記憶體式12奈米...
中國長鑫存儲 DRAM 總產能估從快速成長到 2023 年 12 萬片，今年更達 20 萬片。長鑫存儲主產品有 17 和 18 奈米 DDR4 和 LPDDR4，最新 DRAM 產品是 12 奈米 DDR5、LPDDR5X已量產
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