半導體用的材料純度是小數點後面要幾個9，金屬層要用的是5-7N級，也就是99.99999小數點後面5個9,知道嗎？民用純度才多少，差多少倍？ 答案是根本不能用,用了必死，刀具回收來練？這根本是外行人在搞笑..
而拿廢棄鎢回收來提煉要做到半導體能用等級，難度更高...聯友目前完全沒那能力，聯友做的是給工業或民生用的等級，目前仍完全沒能力做半導體等級.
照聯友之前自己講的規劃，就算是使用來源純度高的鎢礦，也要到2030後才有機會做出半導體能用的靶，更別說是回收.
ufal0071 wrote:刀具回收就夠...這邏輯也太...搞笑
半導體用的材料純度是小數點後面要幾個9，金屬層要用的是5N級，也就是99.99999小數點後面5個9,知道嗎？民用純度才多少，差多少倍？ 答案是根本不能用,用了必死，刀具回收來練？這根本是外行人在搞笑..
而拿廢棄鎢回收來提煉要做到半導體能用等級，難度更高...聯友目前完全沒那能力，聯友做的是給工業或民生用的等級，目前仍完全沒能力做半導體等級.
照聯友之前自己講的規劃，就算是使用來源純度高的鎢礦，也要到2030後才有機會做出半導體能用的靶，更別說是回收.
不是如你想像那樣
聯友是工業級的產線，想成為晶圓廠電子級原料供應，需全部重來，另建線甚至廠..連同所有操作...而就算做出也要幾年後，才有機會開始被台積審廠再*狠修理*年算，之後才*有機會*開始成台積供應商.
先講所謂成為半導體原料供應商，除基本第三方認證外
1.首先需先經過要以年算的有生產紀錄且有供應給其他家的歷史資料，沒有或不到，即使再厲害也一律剔除.
2.進入重點：開始審廠-簡單講就是抄家
從原料採購，庫房環境溫度到進出管理，再到生產過程，設備，人員，器具...管理，再到人員訓練，線上系統，平日異常處置....，再到自動化...連同所有文件規範...全部都要審查，另過去歷史生產紀錄，數據，以CP/CPK/PPK看，再則改良計畫的CIP,PIT....全審查且全部要達到要求（自動化不足，改自動化，穩定性不足就...依QC準則，有辦法穩定至少7個月以上後再來談）
而標準..封測以封測標準角度，晶圓廠以晶圓廠標準角度，而台積？當然是刁難度最高的晶圓廠頂級版囉！
全部要求的問題全解光後，才能進入合格供應商名單，之後還要看工廠想不想試.
上遊想換進口原料供應？除非偷換不講而被抓100%賠到倒閉. 但正常是一概不會同意.
這狀況分
A.有其他合格商不用動原料就能供應，那
只會全訂單轉走，這家從供應商名單中凍結停供.
B. 所有供應商都有需轉換問題：上遊原料轉換基本要換型號，而型號轉換，就算使用新原料，就需重新廠內認證.
1. 開始同步：品質挑幾家供應商先衝去供應商工廠再進行一次資料審查.（審查全部通過後，週或月算）
2.開始評估拿貨測試：
這又再分原料level,做完原料會留在wafer上為最高級，這種. 不會留在wafer上的，多數只要自己內部測試而出報告給客戶取得同意就OK.
（等級又在分需加做可靠度或不需做可靠度..）
最高級就
A. 需事前通知客戶，客戶同意後才能做樣品，
B. 樣品除比對線上數據與良率外，另需重做全部內部可靠度測試. （基本至少3-4個月起跳，因生產就至少要1-2個月且還是用少片+掛super貨衝才行,不然光產就3-4個月），
C. 之後結果寫成報告再給客戶再取得同意後，才風險試產給客戶，而客戶要再做他們的可靠度或出給終端後再觀察至少3-6月以上（防止用了一段時間才開始出問題)
D.客戶也覺得沒問題後，才能開始正式量產，從小量，中量到大量，再ECN.
Ps.不是一家過就全過，而是每一家都要通知且全要取得同意. 不同意就不能用.
像鎢金屬這種東西，鐵定用來做鎢的金屬層或化合層，等於鐵定會留wafer上，所以勢必走最高級.
也就是就算品質ok且緊急下也要一年以上，若非緊急下...就算缺，也只是加價去搶看誰狠，完全不可能用.
（這流程可不是台積訂，而是全世界半導體標準流程兼品質文件規範內，誰都不能違反，違反客戶能請求所有相關賠償，包含過往所有生產產品....信譽會全毀）
所以突然停供，很容易是整個半導體市場會大亂.（就有錢的能搶剩餘料，沒錢的只能等看訂單跑掉）
不是上街買菜而人家拿個檢驗報告就能買啦.
hl4su3a8cl3 wrote:是AI騙人還是你騙人?
台灣與日本大廠有半導體測試探針卡、高階 IC 載板所需的「超微細孔加工技術」
在 PCB（印刷電路板）上鑽出直徑小於 45 微米、比頭髮還細的孔
需要極高轉速（每分鐘 20 萬轉以上）的精密氣動主軸，以及日本三菱或瑞典大廠提供的超微粒碳化鎢微鑽頭
在 PCB 上要鑽出直徑小於 45 微米（比頭髮還細）的孔，傳統機械鑽孔已經不可能，必須依靠 微細加工技術。目前業界主要有以下幾種方法：
實務應用
HDI（高密度互連板）：常用 UV/CO₂ 雷射鑽孔，孔徑 50 µm 已是量產標準。
先進封裝（ABF 基板、IC 載板）：需要更小孔徑，常用 飛秒雷射或光刻蝕刻，孔徑可降至 20 µm 以下。
未來趨勢：隨著 AI/5G/高頻高速需求，孔徑可能進一步縮小到 10 µm 級，必須依靠 光刻+蝕刻 或 超快雷射。
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