中共國請先把法輪功剷除，然後把沈伯洋逮捕，再吹噓如何打日本還不遲。
連這兩項最軟嫩的都搞不定！也能吹牛逼幻想打日本？！
不吃菜菜小娃 wrote:
請問你光阻劑加鎵、鍺、螢石的目的是什麼？
上光阻最怕的就是𠕇Defect而你卻要加一些奇怪的東西？
你最好解釋一下為什麼光阻劑要加這些東西
不懂，所以請Gemini回答你
💡 光阻劑添加物（鎵、鍺、螢石）的目的您所說的這些材料並非都是直接作為光阻劑本身的添加劑，有些是光阻劑組成的一部分，有些是相關製程或設備的關鍵材料。
1. 鎵 (Gallium) 和 鍺 (Germanium) - 用於抗蝕刻或高解析度光阻這兩種元素通常被引入光阻劑配方中，目的主要有兩個：提高抗蝕刻性（Etch Resistance）：在後續的電漿乾蝕刻 (Dry Etching) 步驟中，含有矽 (Si)、鎵或鍺等元素的有機金屬光阻（Organometallic Photoresists）在氧氣電漿下，這些元素會迅速在表面形成一層薄薄的氧化物保護層（如 $GaO_x$ 或 $GeO_x$）。這層保護層具有極佳的抗蝕刻能力，能讓下方的有機聚合物光阻層被蝕刻的速度大幅減緩。這對於要求高縱深比 (High Aspect Ratio) 或需要很薄光阻層的先進製程（例如，多層光阻系統或極紫外光 (EUV) 光阻）來說至關重要。用於高解析度微影 (High Resolution Lithography)：在一些先進的電子束微影 (EBL) 或極紫外光 (EUV) 微影中，含有這些重原子 (Heavy Atoms) 的光阻劑可以提高其對入射射線的吸收率和靈敏度，有助於實現更高的解析度和更精確的圖案轉移。
2. 螢石 (Fluorite, $\text{CaF}_2$) - 用於極紫外光 (EUV) 設備螢石並不是光阻劑的添加劑，而是極紫外光（EUV）微影系統中不可或缺的關鍵光學材料。EUV 光學元件：EUV 光刻機使用波長極短的 $13.5\text{ nm}$ 光源。在這個波長下，傳統的透鏡（如石英玻璃）會吸收大量光線，無法使用。EUV 系統必須使用反射式光學元件，而螢石是製造這些高精密反射鏡和其他光學部件（雖然 EUV 系統主要用反射鏡，但 $\text{CaF}_2$ 在更早期的 $157\text{ nm}$ 準分子雷射光刻中被廣泛用作透鏡材料，因其在高頻 UV 下具備高透光性和低雙折射性）的重要材料。在 EUV 系統中，$\text{CaF}_2$ 也常作為掩膜板 (Mask) 或光學元件的保護層或基底材料。
🛡️ 如何平衡添加物與缺陷問題？您提到「上光阻最怕的就是 Defect 而你卻要加一些奇怪的東西？」這是微影技術的核心矛盾之一：
✅ 目的 (Purpose): 為了獲得更高的解析度 (Resolution)、更好的線邊緣粗糙度 (LER/LWR)、更強的抗蝕刻性、或更快的曝光速度 (Sensitivity)，工程師必須在光阻中添加或使用非傳統的化學物質（如酸淬滅劑、抗反射層、含金屬的聚合物等）。🚨 風險 (Risk): 任何添加物或額外步驟都有可能引入微粒 (Particles)、化學不均勻性 (Chemical Non-uniformity)，進而導致圖案缺陷 (Pattern Defects)。工程上的解決方案：極高純度原料 (Ultra-High Purity)：所有用於半導體製程的化學品，包括光阻劑中的每一個成分，都必須達到極高的純度等級（例如，電子級 (Electronic Grade)），以確保幾乎沒有微粒或雜質的引入。製程控制 (Process Control)：精確控制添加物的濃度和分佈均勻性，確保它們能達到提升性能的目的，同時不造成額外的缺陷。化學設計 (Chemical Design)：設計化學結構穩定的添加物，使其能均勻地溶解在光阻劑溶劑中，避免在旋塗 (Spin Coating) 過程中析出或團聚，從而減少結塊 (Agglomeration) 或條紋 (Striations) 等缺陷。總而言之，這些「奇怪的東西」是為了追求更先進、更高密度晶片圖案所必需的功能性材料，是犧牲部分製程的簡單性換取極高的性能提升。
bulldog2005 wrote:
不懂，所以請Gemini回答你...(恕刪)
光阻劑主要由樹脂、光敏感劑（光酸產生劑PAG）、溶劑和添加劑四大核心成分組成，其中樹脂和光敏感劑決定了光阻的類型（正/負型）與特性，溶劑負責塗佈和溶解，而添加劑則用於優化性能，如界面活性劑來改善平整度。正型光阻常配搭酚醛樹脂和DNQ感光
劑，負型光阻則使用聚羥基苯乙烯基聚合物、含鹵素或三氮雜苯基PAG和交聯劑等。
光阻主要成分與功能
• 樹脂（Resin/Polymer）：光阻的基體，決定其薄膜穩定性。
②
- 正型光阻：常見如酚醛樹脂（Novolac），曝光後溶解性提高。②
- 負型光阻：常用聚羥基苯乙烯基聚合物（Polyhydroxystyrene） 或酚醛基聚合物，曝光後形成交聯，溶解性降低。②
- 光敏感劑（Photoactive Compound，PAC）/ 光酸產生劑（Photoacid
Generator, PAG）：曝光時產生酸或改變溶解性。
- 正型常用：重氮萘醌（DNQ）。
- 負型/先進製程常用：磺酸酯、三芳基硫鹽/碘鹽、三氮雜苯基化合物等，在曝光後釋放酸。
- 溶劑（Solvent）：溶解其他成分，調整黏度，使能旋轉塗佈成均勻薄膜
有一種上面並沒有寫出來、這一種非常重要這是各家的商業機密，你知道是哪一種嗎？
看看Gemini能不能回覆你……
供應商填寫的MSDS上就有了
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