老正太阿肥 wrote:
我还记得当年台湾人嘲笑大陆的航母拦阻索做不出来
還是做不出來的
那是把標準降低
就跟土共國那全民脫貧一樣
把那條線拉低
甚麽都能做出來
Sinfield wrote:現在清華大學要做的應該不是LIGA製程，
學過半導體製程
尤其是微機電製程的都不陌生
LIGA製程
就是利用同步輻射光源來進行曝光
這是德國在幾十年前開發出來的特殊製程
而只是用同步輻射光取代現在EUV製程的光。
過去幾十年同步輻射光源已經有很多進步。
我看到一張清華大學提案的圖，
他們想要蓋的應該是有free electron laser (FEL)的儲存環，
所以你要把那個光源當作雷射，而不是一般的同步輻射光。
FEL有很多用途，用它來當EUV光源只是用途之一，
所以也不用說蓋同步輻射FEL是在騙錢...
只是他們提的方案是新技術(SSMB EUV FEL)，
能不能蓋成還很難說...
Sinfield wrote:這段討論有必要釐清。
問題是光源要有配套！
短波長高強度的光要生出來不難！
幾十年前的德國就展示過了，也顯示出困難點～
光阻的問題如何解決？
光罩要擋住部份光達到patterning!
那麼很厚的金屬層要擋住同步輻射的光，越厚線寬就不容易做的細
這種強光要在奈米級的區域進行曝光問題比以前多太多
到了EUV時代光罩的做法完全跟DUV法相反，屬於反射式而不是穿透式，靠層層的堆疊MoS2(?)達到吸光效果
現在的光罩已經是很難做了，同步輻射的光罩更難
前人失敗的經驗到了現在就不是問題？
這個帖除了我在談技術其他人都在作文
有朝一日如何⋯
舉個例子
要讓光阻曝光
無非是打斷原子間的鍵結造成解離（正光阻）或產生交聯作用
太強的光在EUV開發期間就發生光把電子游離出去，光阻是介電質卡在光阻內造成二次電子什麼corner charging問題
光要把該斷的鍵結打斷不該斷的不能斷
主鍊是碳碳鍵總不能其他鍵也打斷吧，這也是要看鍵能⋯
下一代的High NA EUV光阻要換上Metal Oxide
各家還在開發～
中國考慮是更高強度的同步輻射光⋯
同步輻射光的強度非常強，這是事實。
光強度太強，弄弱一點就好，這個容易解決。
你講得太強應該是指光子的能量太高(光子能量與頻率成正比，或者說與波長成反比)。
現在EUV用的光波長13.5nm，為什麼用這個特定波長？
是因為受制於產生雷射的材料。
同步輻射FEL的光波長是可以調整的，
可以調整成13.5nm，直接取代現在的EUV光源，
如果覺得能量太高，也可以把波長調得長一點，所以設計上有些彈性。
就光子能量來說，沒有同步輻射光一定比現在EUV光更強的說法。
既然有同步輻射FEL這種技術，為什麼不用？因為太貴太麻煩了。
以現在的物價，光是儲環環應該就要上百億台幣，
而同步輻射FEL的運作非常複雜，
出的光應該沒有小型雷射系統穩定。
如果不是中國被制裁到已經走投無路，
應該也不會想用這種方法產生的EUV光來做先進製程。
最後，先進製程又不是只有光源，
就算很多年後同步輻射FEL真的蓋好，
還是有很多其他技術要克服。
不過，對中國來說，甚麼都不做等死也不是個選項。
我個人是樂見 SSMB FEL 被做出來。
內文搜尋
從 APP 打開
X