中國北大全球首創全新晶體製備方法晶體的單層厚度僅為 0.7 奈米目前使用的矽材料多為 5 到 10 奈米

cman4434

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樓主

2024-07-15 16:13

"《新華社》報導，這種「長材料」的新方法有望提升晶片的整合度跟運算能力，為新一代電子和光子積體電路提供新的材料。" ALSM 的光刻機會不會就退出市場了??

https://news.cnyes.com/news/id/5629320

2024-07-15 16:13 發佈

km_lin

km_lin
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2樓

2024-07-15 16:38

過渡金屬二硫化物或是二硒化物的二維材料的成長技術與光刻機所能做的事情，技術與功能不同，該二維材料可能用於場效電晶體(Field Effect Transitor)的通道(Channel)上，應該沒有『ALSM 的光刻機會不會就退出市場了』的問題。

blueozone0130

瞬間就打了樓主一巴掌XD

2024-07-15 16:57

Requiem for a DREAM

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3樓

2024-07-15 17:43

中國 VS 美國
這場大戲
我吃雞排等川普上任

笑到噴淚

六藝君子

六藝君子
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4樓

2024-07-15 19:49

cman4434 wrote:
"《新華社》報導，這...(恕刪)

layer 厚度跟線寬是兩碼子事

it6168

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5樓

2024-07-15 20:50

0.1奈米厚度，我在家裏客廳都做的出來，對半導體業而言，厚度從來都不是問題

km_lin

km_lin
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6樓

2024-07-16 2:02

對半導體而言，當厚度小於某一個尺度，就不是那麼容易。因為塊材矽 (bulk Silicon) 的厚度降到某一程度，其載子 (Carrier) 的遷移率 (Mobility) 將會劣化，其原因可能是表面散射 (Surface Scattering) 所造成的載子的散射率(Scattering Rate) 的增加或是 Relaxation time 的減少。二維材料因其沒有懸鍵 (Dangling Bond Free) 之故，所以單層之二維半導體材料如 MoX2 或是 WX2 (X = S, Se)具有非常好的載子遷移率，可是相較於塊材矽，卻有著非常大的接觸電阻 (Contact Resistance)，雖然在實驗室中，有一些解決的方法，但是距離量產，可能還有一段路要走。
另一方面，就奈米尺度的元件而言，其傳輸性質的理論計算，因其尺度進入量子效應主導或是不可忽略的範圍，因此傳輸性質也將由傳統半古典的 Boltzmann Transport Equation 變成量子力學的非平衡態格林函數 (Non-equilibrium Green's Function) 或是 Lippmann–Schwinger equation 搭配 Landauer Formular 的求解。進一步言，一旦進入考慮量子力學的凝態物理(Condensed Matter Physics)，自然就有量子多體物理 (Many-body Physics) 的問題，而上述兩個方程式多採用密度泛函理論 (Density Functional Theory) 搭配局域密度近似 (Local Density Approximation) 或是類似的方法如 GGA 來處理多體效應。此外，該理論對於激發態 (Excited States) 與強關聯系統 (Strong Correlation System) 也必須另做如 GW 與 LDA+U 的處理。因此尺當度小到奈米，並不 trivial。