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洗洗睡~~中國發展"經濟核武"!傳中芯重金購買EUV、力拼追上台積

水云 wrote:
意思是不是直接買聯...(恕刪)


問題是聯電與世界先進的高階製程也不行⋯⋯

有一個方法
中國成為GF的大股東
在中國設廠
目前GF與成都與當地政府有設廠
不過不是先進製程
GF是用FD-SOI製造
與台積電Intel的bulk製成不一樣
GF還比聯電中芯世界先進強一點

這帖應沒有懂半導體製程的人
7,5nm的 Fin與gate也不是EUV製程
都是SADP,SAQP與LELELE製程
這可要練功

SAQP連Intel都搞不定量產.
要拖到2019⋯
健人就是腳勤

不吃菜菜小娃 wrote:
有什麼關係?...(恕刪)

極紫外線光源的關鍵零組件,
由北京提供。而且全球僅此一家,
別無分號。
hsuing692 wrote:
中芯買一台EUV就想彎道超車??去後面慢慢排隊吧!!!台積電的雷達上,從來都沒看到中芯有出現過。
再來,我們都是台灣人吧??那麼期待台灣的企業被大陸追過去?
你沒看懂我的意思


台積電是領先者,所以即使設備不到位,還是努力將製程往前推

這也是台積電遙遙領先的原因


台積電在舊設備奮鬥了好多年

如果沒有新設備,中芯還是得走台積電老路

但是現在大家都用最先進設備

後來者,根本不需要再花時間在舊設備努力

直上新設備

所以追趕的速度會變快

不吃菜菜小娃 wrote:
大陸搞的那些設備連台...(恕刪)

5奈米蝕刻機,對岸兩年前就做出來了。
台灣現在做到幾奈米?

jfkcity wrote:
極紫外線光源的關鍵零組件,
由北京提供。而且全球僅此一家,
別無分號。...(恕刪)


今天最好笑的笑話...
健人就是腳勤

kegabu wrote:
台積電在舊設備奮鬥了好多年

但是現在大家都用最先進設備

後來者,根本不需要再花時間在舊設備努力

所以追趕的速度會變快...(恕刪)


這樓沒有懂半導體製程的人...

台積電可是開外掛
193nm浸潤式製程與EUV同時進行

EUV的throughput還達不到125wph
只有TSMC硬用193nm光源做出來

今年的7nm製程只有TSMC能量產...
如果要等EUV
大概要等明後年...

健人就是腳勤

NQQegg wrote:
問題是聯電與世界先進...(恕刪)

我這幾十年在台灣業界最常聽到的一句話,
「大陸決對做不出來」。結果,最後這些
廠商,倒的倒,遷去大陸的遷去大陸。

jfkcity wrote:
5奈米蝕刻機,對岸兩年前就做出來了。
台灣現在做到幾奈米?


兩年前就做出來了,然後呢?誰在用?中芯嗎?
台灣我在兩年前就做出一奈米的蝕刻機了....要唬爛誰不會?

jfkcity wrote:
5奈米蝕刻機,對岸...(恕刪)


假大陸人~

這樓沒有懂半導體製程的人...

全世界的先進製程曝光機只有ASML做得到
早期的Nikon/Canon都被淘汰了

看到5奈米蝕刻機
就表示根本就是半導體製程的大外行

現在的193nm浸潤式曝光機
連28nm製程都做不出來
ASML的193nm浸潤式曝光機的resolution R大概是38nm
所以用多重曝光克服
如SADP, LELELE, SAQP來克服

外行人以為曝光機很神
其實曝光機早就達不到設計的要求

如果沒有多重曝光
那摩爾定律大概停在40nm製程吧
也就是中芯做的最順的製程...
健人就是腳勤
NQQegg wrote:
只有TSMC硬用193nm光源做出來...
是啊

所以人家不需要再用193nm光源去硬做啊

台積電在這上面花多少年的心力?

人家現在用先進設備,有機會直接跳過啊!
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