水云 wrote:意思是不是直接買聯...(恕刪) 問題是聯電與世界先進的高階製程也不行⋯⋯有一個方法中國成為GF的大股東在中國設廠目前GF與成都與當地政府有設廠不過不是先進製程GF是用FD-SOI製造與台積電Intel的bulk製成不一樣GF還比聯電中芯世界先進強一點這帖應沒有懂半導體製程的人7,5nm的 Fin與gate也不是EUV製程都是SADP,SAQP與LELELE製程這可要練功SAQP連Intel都搞不定量產.要拖到2019⋯
hsuing692 wrote:中芯買一台EUV就想彎道超車??去後面慢慢排隊吧!!!台積電的雷達上,從來都沒看到中芯有出現過。再來,我們都是台灣人吧??那麼期待台灣的企業被大陸追過去? 你沒看懂我的意思台積電是領先者,所以即使設備不到位,還是努力將製程往前推這也是台積電遙遙領先的原因台積電在舊設備奮鬥了好多年如果沒有新設備,中芯還是得走台積電老路但是現在大家都用最先進設備後來者,根本不需要再花時間在舊設備努力直上新設備所以追趕的速度會變快
kegabu wrote:台積電在舊設備奮鬥了好多年但是現在大家都用最先進設備後來者,根本不需要再花時間在舊設備努力所以追趕的速度會變快...(恕刪) 這樓沒有懂半導體製程的人...台積電可是開外掛193nm浸潤式製程與EUV同時進行EUV的throughput還達不到125wph只有TSMC硬用193nm光源做出來今年的7nm製程只有TSMC能量產...如果要等EUV大概要等明後年...
jfkcity wrote:5奈米蝕刻機,對岸...(恕刪) 假大陸人~這樓沒有懂半導體製程的人...全世界的先進製程曝光機只有ASML做得到早期的Nikon/Canon都被淘汰了看到5奈米蝕刻機就表示根本就是半導體製程的大外行現在的193nm浸潤式曝光機連28nm製程都做不出來ASML的193nm浸潤式曝光機的resolution R大概是38nm所以用多重曝光克服如SADP, LELELE, SAQP來克服外行人以為曝光機很神其實曝光機早就達不到設計的要求如果沒有多重曝光那摩爾定律大概停在40nm製程吧也就是中芯做的最順的製程...