MOSFET 的 Plannar -> FinFET --> GAAFET這張圖好像不對!!FINFET 的 Source, Drain 應該是 FIN 的左右兩側, FIN 本身是 P/N 載板, 本身為電洞或電子遷移區!!如同 MOSFET Plannar 結構, Gate 下方為 channel, 屬於 P/N 載板電子電洞遷移區, 左右兩側才是 S-D, 這樣 Gate 的開關才會導致場效應 (Field-Effect) 使得電子/電洞遷移!!
中芯在天津要開設新廠了。在半導體銷量的低谷,中芯反而擴產,很明顯是要走量產低價的路線,擠佔市場份額。台積電配合美國對大陸芯片禁運,大陸肯定也不可能将本國內部市場無條件向台積電開放。如果台積電打算靠低價搶佔大陸市場,大陸官方一定會對台積電產品設置非關稅壁壘,限制其市占率。今天的兩岸局勢,台積電不可能不考慮政治因素,只憑借所謂產品成本優勢搶佔大陸芯片市場。