Charlie2020 wrote:
我同學在美國做IC...(恕刪)
中科院做的是晶棒(ingot)碳化矽晶棒不是做晶體
kruppag123 wrote:
中科院做的是晶棒(ingot...(恕刪)
所以中科院自製的模組一文有描述到! 應該要向美國購買氮化鎵功率元件才會有更大的功率，不過我聽說神盾與鋪路爪還是用砷化鎵原件! 不知對不對!
主動相列雷達收發模組
• 型式
Output power of TRM：12W
• 發展
本產品採用世界水準自製的15瓦砷化鎵單晶微波積體電路(MMIC)功率放大器來將收發模組之功率輸出推昇至12瓦以上。為了降低收發模組的複雜度，採用循環器作為發射接收路徑之切換，為避免接收端在發射過程中遭受反射功率衝擊，採用一級限制器和開關器作為接受電路的保護並提昇隔離度，而自製的低雜訊放大器其雜訊指數亦可達1.2dB以下。
在相位和振幅調變機制方面，則採用6位元數位相移器和數位衰減器，其控制精度可達5.625°和0.5dB，由於發射接收採共同控制路徑，可大幅精簡電路。為解決功率放大器非線性操作的相位振幅誤差問題及提升相位振幅的控制變異精度，發展一快速數位補償機制，運用FPGA和flash記憶體為每套收發模組建立補償表，使得收發模組在任何操作條件下其相位振幅之變異精度可控制在±3°和 ±0.25dB之內。後續亦可採用氮化鎵功率元件來取代砷化鎵元件，使收發模組的功率輸出提升至50瓦甚至百瓦以上，重要的是透過數位補償機制，仍能維持極佳的相位及振幅控制精度。
本項展品的設計開發均由本院自主完成，相關關鍵組件皆可在國內產製。
• 簡介
主動相列雷達收發模組為發展主動相列雷達系統的核心，藉由成千上萬個具有功率發射功能的收發模組(T/R Module, TRM)組合排列，使相列雷達可以同時進行相位及振幅調變，達到抑制天線旁波束及具有選擇性零點適應性的天線陣列功能，大幅提昇相列雷達搜索、追蹤及抗電戰的能力，同時整個雷達系統的妥善率及可靠度，也因分散式收發模組的組合方式而獲得改善。
• 規格
• 砷化鎵功率元件輸出：15W
• 主動收發模組功率輸出：12W
• 6位元數位衰減及相移控制
• 數位補償控制電路
• 相位變異精度:±3°
• 振幅變異精度:±0.25dB
• 可用氮化鎵元件提昇功率輸出
• 現況
現朝向更高功率發展，如果需要，後續亦可採用氮化鎵功率元件來取代砷化鎵元件，使收發模組的功率輸出提升至50瓦甚至百瓦以上。
Charlie2020 wrote:
我同學在美國做IC...(恕刪)
唉～
很多台灣人以為丟那麼一點少少的錢給中科院
就要限時生出與美國武器一樣的性能
還想什麼都自製
真是辛苦了中科院
以美國的角度看世界
是花大錢砸雙備的人力物力買保險
設想未來會有什麼樣的敵人
所以預先準備
美國是標準的第一名的心態
後面有誰不重要
重要的是永遠當第一名
以美國人的角度看日本的科技
也覺得還好
美國的企業也是一樣
能在美國生存也是要有獨門夠強的產品
台灣與中國這種後進國家
都是看到美國推出什麼再去追趕
沒有第一名的心態
當然當不了第一名
獨門夠強
不管是企業與個人
都是這樣⋯
心的通透 並非沒有雜念 而是明白取捨
Charlie2020 wrote:
• 現況
現朝向更高功率發展，如果需要，後續亦可採用氮化鎵功率元件來取代砷化鎵元件，使收發模
組的功率輸出提升至50瓦甚至百瓦以上。...(恕刪)
這是幾年前的"現況" ?
相較之下 , 大陸由於軍事及發展5G基地站台(中興 華為都是世界通訊設備巨頭)需求 , 對於氮
化鎵功率元件研究起步頗早 , 現在已有不少公司在製造販售GaN元件產品 .
所以說如果美國未來不賣台灣氮化鎵功率元件的話 , 中科院可考慮透過白手套向中國買呀 ~~
GaN微波功率模塊產品手冊
Charlie2020 wrote:
所以中科院自製的模...(恕刪)
氮化鎵是氮化鎵，碳化矽是碳化矽兩者基本上是沒啥關係的。氮化鎵是一種材料，一種高電子遷移率場效電晶體(hemt)。電子遷移率直接與工作頻率有關，而氮化鎵又具備高擊穿電壓的特性，所以能工作在高功率、高頻率下。但是這種環境就像拿來超頻的CPU散熱很成問題，所以CPU可以加水冷、風扇而氮化鎵就用碳化矽來散熱(碳化矽本身也可以做為場效電晶體但由於天生處於週期表的鳥位子該東西有讓人很想哭的低電子遷移率)。
但一般的碳化矽是不能用的那叫金鋼沙，就像半導體中最常見的矽到處都有整個是多到想打人的境界，但是要拿來做為半導體要純化到9個N(99.9999999%的純度)那就更想打人了，業界目前都是用柴氏長晶法來做結晶化的矽。而碳化矽要拿來跟氮化鎵一起用也是要結晶化，那就是前文說的碳化矽晶棒(ingot)
而不管砷化鎵還是氮化鎵都是一種場效電晶體，要如何使用主要還是看目的。你想買台文書電腦沒必要去買電競筆電，而如果一台開學期間優惠特賣的學生筆電能讓你快樂的打所以的電玩而且特效全開不會當機相信也沒人買電競筆電。而你想買NVIDIA最新款最高檔的顯卡那就等著過兩年後打成一折的現實。這類東西量產以後都"哪賽類"。
神盾與鋪路爪用砷化鎵也沒啥大不了，那只是材料上的運用而以也是當年的高科技，現在一樣"哪賽類"。全世界最早主動陣列雷達老美的AN/FPS-85上面的T/R組件還全部都是真空管，功率感人、頻率也感人、維修起來就很想殺人了，現在連"賽"都不如。
piwu0536 wrote:
連民用的品質 功率...(恕刪)
愛台灣的你
我說您在玩笑你還不承認???
T/R陣列隨便就拿民用的來兜???
要做成array的要考慮很多因素
最簡單的uniformity好了
要做成一片array
都要挑過
研究過半導體製程的都知道
就算同一片wafer
沉積與蝕刻
因電漿的uniformity問題
同一片wafer中心與外側都會有差異
CMOS等數位電路還好
analog device就差很多
什麼叫民用的品質好?
麻煩定義一下品質好給小弟聽聽...
中國的問題是規格開的好
但品質差異太大
中國貨我一般用了幾次後悔以後都不敢再用
老共的民用GaN還差外國一截...
老共的新雷達
就算是T/R module也是GaN
總體效能還不知差多少...
看一下01以前的討論再來吹牛吧...
http://www.mobile01.com/topicdetail.php?f=637&t=3445126&p=1
心的通透 並非沒有雜念 而是明白取捨
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