Daniel Wen wrote:2nm工藝 中国 中科院研發世界首個自對準柵極的疊層垂直納米環柵電晶體 中科院微電子所先導中心朱慧瓏研究員及其課題組日前突破GAA環繞柵極電晶體,實現了世界上首個具有自對準柵極的疊層垂直納米環柵電晶體(Vertical Sandwich Gate-All-Around FETs或VSAFETs),獲得多項中、美發明專利授權。這一研究成果近日發表在國際微電子器件領域的頂級期刊《IEEE Electron Device Letters》上(DOI: 10.1109/LED.2019.2954537)。-------------这是骗人?
Daniel Wen wrote:廢話少說,你國在國際(恕刪) ------------------intel 偷窃 中国中科院 微电子所的 FinFET 技术 在美国败诉...---------------------------基础研发不一定立刻可以应用呀中国论文 质量很高啊《自然》评2019年度十大杰出论文:中国成果占两席其实是 两席半 , 半个是和美国 合作的当然台湾媒体是不会报道中国好事的
甲鳥3538 wrote:intel 偷窃 中国中科院 微电子所的 FinFET 技术 在美国败诉 給個"在美國敗訴"的新聞連結,網路上只有中國法院的判決中國法院在這種涉外智財訴訟一貫表現極度愛國,看不出事實
Daniel Wen wrote:給個"在美國敗訴"的...(恕刪) 自己找喽!!!! 你怎么会这么呆呆的给看这个...要仔细看喔https://www.eet-china.com/news/202007311422.html