[新聞] 高通(Qualcomm)驍龍810晶片設計瑕疵造成過熱問題, 最後認定關鍵是高通晶片設計問題

三星新款手機處理器轉單　高通、台積電均受衝擊

日期: 2015/1/15

資料來源: 電子時報

內容: 儘管高通(Qualcomm)驍龍810晶片設計瑕疵造成過熱問題已獲得解決，然三星電子(Samsung Electronics)2015年新亮相的Galaxy S6確定轉單，近90%內建處理器將採用自家14奈米FinFET製程，不僅意謂三星14奈米製程將比台積電16奈米製程早一季量產，且前兩大客戶將是蘋果(Apple)及三星自己。值得注意的是，三星Galaxy S6將是首款同時內建20奈米及14奈米兩種不同製程世代應用處理器(AP)的智慧型手機。高通64位元驍龍810晶片過熱問題，一開始無法釐清是代工製程問題或晶片設計瑕疵，最後認定關鍵是高通晶片設計問題，雖然已獲得解決，但業界傳出瑕疵晶圓數量逾萬片，高通必須向台積電買回瑕疵晶圓，除了後續如何處理備受關注，相關供應鏈出貨亦受到影響。三星Galaxy S6內建處理器確定轉單，近9成將採用自家14奈米FinFET製程生產。圖為三星展示Galaxy S5手機景況。符世旻攝預覽列印1/2">放大
半導體供應鏈透露，三星新款智慧型手機Galaxy S6初期將有80~90%處理器晶片採用三星自家14奈米Exynos晶片，但隨著高通晶片問題解決及重新量產，未來採用高通晶片比重仍會拉高，並在三星及高通處理器晶片採用比重上，取得一定數量的平衡。三星在第1季量產14奈米FinFET製程，較台積電16奈米FinFET製程預計7月量產時程早一季，業界傳出三星在2014年底得知高通驍龍810晶片出現問題，便開始增加14奈米FinFET製程投片量，全力支援自家新款智慧型手機出貨，並非如外傳三星手機可能改採聯發科晶片。高通晶片問題事件爆發，讓業界意外發現三星新款智慧型手機Galaxy S6內建兩款不同世代的處理器晶片，一顆是高通設計、台積電生產的20奈米製程技術處理器，另一顆是三星自家設計的Exynos系列處理器，採用14奈米FinFET製程生產。三星過去在Galaxy S4手機處理器晶片亦曾採用雙供應商策略，在亞洲及非洲地區多數採用三星自家Exynos 5系列晶片，歐美市場則主要搭載高通驍龍600晶片，兩者都是採用28奈米製程量產，然這次Galaxy S6卻是同時並存20奈米和14奈米兩個製程世代技術的處理器晶片，讓業界相當意外。近期三星14奈米FinFET製程接連傳出捷報，不僅拿下蘋果A9處理器晶片，並意外取代高通訂單。值得注意的是，高通這次晶片出包事件，讓行事嚴謹的台積電遭遇池魚之殃，儘管高通會向台積電買回瑕疵晶片，目前不確定是在第1季或第2季實現，但因為這個意外事件，恐將讓台積電20奈米製程需求出現微幅減少。