其實 SLC 和 MLC NAND Flash 現貨價沒差多少說 , 1Gb: 4~5$USD
2Gb MLC 晶片的大小和 1Gb SLC 差不多 ("其實它就是一顆 1Gb NAND Flash"), 你就知道 目前做 MLC 實在是"暴利"
以前只有Toshiba做MLC, 現在Samsung, Hynix...等都投入MLC技術
MLC 在 Write 和 Read Speed 一般都比 SLC 差... 樓上的朋友沒說錯, 重點其實都在 Controller 及其F/W上...
blue22chen wrote:
那兩顆一樣的是1Gb...(恕刪)
謝謝大大詳細的解說，讓小弟增長不少知識！
不過想請問一下，若照大大的算法
兩顆1Gb NAND Flash ( 2 x 1Gb = 2Gb = 256MB)
那麼1GMB的SD卡裡面的顆粒就是
兩顆4Gb NAND Flash ( 2 x 4Gb = 8Gb = 1GMB)囉？
其他的容量也是依此類推嗎？
不要把別人的錯誤拿來懲罰自己！
kingwolf wrote:
謝謝大大詳細的解說，讓小弟增長不少知識！
不過想請問一下，若照大大的算法
兩顆1Gb NAND Flash ( 2 x 1Gb = 2Gb = 256MB)
那麼1GMB的SD卡裡面的顆粒就是
兩顆4Gb NAND Flash ( 2 x 4Gb = 8Gb = 1GMB)囉？
其他的容量也是依此類推嗎？
是的, Flash 的容量都是以 bit 算的,
請看樓主的圖, SAMSUNG 的型號都是 K9K或
K9F(謎之音: 是F嗎~~ 你很久沒碰了耶)
接著就是容量了, 上圖中是 K9K1G, 所以是 1G bit,
也就是單顆 1G / 8 = 128 MB
上圖中是 T-SOP 的包裝, 所以那麼大顆, 還有 W-SOP
跟 die 的形式, 但是如果不是跟 SAMSUNG 有簽約的客戶,
應該是不會以 die 的形式出貨才對.
作 Mini-SD 或是 Micro-SD的廠商所拿到的就應該都是
die 形式的, 這樣才能把體積跟面積都縮的那麼小.
3 *的毀台計畫, 請去了解, 如果了解還買3 *, 那你就是幫助3 *毀台的罪人之一.
kingwolf wrote:
謝謝大大詳細的解說，...(恕刪)
您好~
您說的沒錯, 不過那只是其中的一種組合... 記憶卡的組裝是依不同的 flash density 組合起來, 若是要做成1G的 SD卡, 也有使用2Gb的flashx4做堆疊(stacking)兩層..., 因各density flash之價格不同(您可參考記憶體相關的現貨及合約報價=> http://www.dramexchange.com/ ), 而通路商基於成本上及市場需求的考量, 會做不同搭配的下單方式.
簡單而言, 一般我們將記憶卡分為大卡及小卡(不含CF & USB之類的), 此為依據記憶卡的面積而言, 如您所拆解的SD卡(大卡), 您可看到 flash 是以並排(side by side)的方式, 至於小卡類, 因受限於卡片本身的面積及 flash 製程上的技術, 目前尚無 side by side 的排列方式, 若有需要製作高容量的記憶卡, 皆以堆疊的方式製作,... 而目前封裝的技術, flash die 最薄可磨到4 mils(1mil=1/1000inch), 可以做到堆疊四層(不含control die), 所以從以上的說明可以產生出多少種組合, 您可掐指算算....
以上供您參考參考囉~... 畢竟各家有在從事記憶卡封裝及 flash wafer 生產的公司, 在製程上都有在進行研發, 未來技術上能做到何種程度, 個人在此先不做預測. 謝謝您~
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