在預熱後，利用翹刀針對四週除膠
在加熱平台的預熱下，並配合有機溶劑，可輕鬆將背蓋拿下，黑膠只有環繞背蓋的四週，算起來不難拆
客戶說他有震動反應，我先夾上直流電電源供應器，觸發約 350ma 電流上下起伏，震動器確實也有震動，但電流算是偏小，在 500ma 上下徘徊，而且無法與電腦連機
先將主機板卸下，看起來腐蝕並沒有很嚴重
上半截有部份氧化
比較嚴重的都在下方
兩條排線幾乎全毀，也有像銅氧化的反應
先將排線全部卸下
排線卸下後，整個中框底部都佈滿白色的物質
排線到時要做為傳輸資料與觸控使用，所以這條很重要，在顯示鏡底下重新上錫修補一下
第二個重點在於 PMI8952 因為 DISPLAY 供電也歸它管理
使用熱風槍約 320 度，將晶片取下
準備一顆良品 PWM 與 Samsung 五合一植錫鋼網
更換晶片並完成植錫，重新回上於 PCB 板上
第三個重點，在海力士的 FLASH ，該晶片為儲存元件，且未封膠易入水，週圍也有明顯的氧化與水痕
注射適量助焊劑後，因為該儲存晶片與 Qualcomm Snapdragon 625 貼的相當近，為避免旋風熱能擴散，應使用直風風槍，但是我沒有直風風槍啊 A__A
不過我有旋膛管 TR1300A 同樣可以替代直風使用
瞬間將 FLASH 取下，依規格來看，該 NAND Flash 應該是 emmc221
emmc221 的規格，紅色為引出腳，採用二極體檔位，確認本身與主機板無異常
安卓的主機板比較空曠，元件排列沒有這麼密集，使用小斜口就可以輕鬆整理
晶片同樣整理過一次，發現有超過一半的焊點呈現暗灰色，可能是高溫或者受潮等引起的
這麼深入問題，我們就不研究了，為了避免回焊時，造成不易吃錫的可能，先將暗點處理過一次
先走一階段處理後，整體就回復了光澤
晶片先丟一邊，此時將使用的電池卸下，並且使用溫控烙鐵，將電池保護電路板取下
從極片負極的位置，跳一條漆包線上來
因為我需要透過電源供應器，去看該機目前的電流反應，在沒有特規的扣俱下，這個方法是最穩的
電源供應器設定 DC 4.3V 採用鱷魚夾，固定在電池保護板的正負極上，還有原先氧化嚴重，處理補錫的排線，在拉上 TYPE-C 的數據線
測量 POWER_KEY 電位 1.68 ~ 1.84V 高電位正常
觸發後電流在 50MA 左右，因為 NAND FLASH 目前空載，所以會直接進入底層電流，如果是非原機的一般會在接近 70-80ma ，空載的話大概在 50ma
電腦開始識別 QUSB 沒有發生錯誤
也在裝置管理員，確認 9008 模式
emmc在設備上讀取正常，並無檢查到毀損（設備是借來的），並找出合適的鋼網
完成晶片植錫，目測檢查錫球大小是否完整
標記點於晶片左上角，四週有標線，原則上算很好對位
回焊時採用旋風約 265 度即可
使用的面板也因泡水毀壞了，準備了一片新的顯示面板
這個沒辦法，因為要打開 USB偵錯模式，所以顯示與觸控，也是要正常點選
先將顯示與觸控穿過中框
在將主機板放置中框，並且透過原先的設備去供電，可以看到背景電流已達約 700MA ，整體電流算是正常了
因為有透過電池保護板的電路，轉換出來，所以並不會因為檢測的關係，導致重啟，最後使用 Syncios 導出 user data
華碩品質 堅若磐石 ～～收工！！
