ken0729 wrote:
我測試了1.7版的核...(恕刪)
如果是待機的話那有點誇張
對了
如果用DM1.3beta 11以上的版本
不要刷1.6的核心
會無限重開機
平常記憶卡就多保存不同的版本
每個Gueste核心的版本對每個人使用起來的感覺都不一樣
現在Goodbye終於有新的1.2版本
不過還不確定穩不穩定
我現在暫時是用DM1.3 beta12(內置gueste 1.7核心)
使用V6 supercharge ram設定6,12,16,82,92,96的數值
開啟swap、oc 1100MHz
以上的設定主要是順暢＋記憶體不會不足而被砍
因為我有Record my call這個app的重要需求
所以不能記憶體不足而被自動重新啟動
因此需要swap
oc只到1100MHz（1050mA）是因為我有時候開車會用到導航王
發現車充1A接上去用1100這個值是最好
也不會讓手機邊用電充不進去
ram設定6,12,16,82,92,96的數值
是參考auto memory manager的aggressive數值
因為之前很愛用這個數值
操作起來比較接近iPhone的順暢感（包含滑動介面、開啟app的速度）
像是相機(3秒內開啟)、導航王10~15秒內開始定位、開啟網頁速度回復到這隻該有的雙核心速度
在Gueste OC Tool設定方面
主要有動到的部分有
OC Max to 1100
Swappiness 60
啟用SWAP功能
i/o的internal部分選SIO、1024K（沒記錯的話這個其實是預設了）
i/o的external部分選SIO、2048K（我是16G C10卡）
如果也有用DM1.3 beta12的人可以考慮設定成這樣試試看穩定度＋速度
因為我是昨天弄好的
到目前都很好
但還是需要長時間的穩定測試
如果沒問題
主頁再去大幅度修改
Sony Z1
在加刷1.6g的超頻核心，待機設定為360，最高1200，這樣用起來就很順了！
看到1.7的核心，想說試試看，結果異常耗電，所以只好再刷回1.6了！
kkyoiori2001 wrote:
我現在暫時是用DM1.3 beta12(內置gueste 1.7核心)
使用V6 supercharge ram設定6,12,16,82,92,96的數值
開啟swap、oc 1100MHz
ram設定6,12,16,82,92,96的數值
是參考auto memory manager的aggressive數值
因為之前很愛用這個數值
操作起來比較接近iPhone的順暢感（包含滑動介面、開啟app的速度）
像是相機(3秒內開啟)、導航王10~15秒內開始定位、開啟網頁速度回復到這隻該有的雙核心速度
請問V6 supercharge ram是什麼啊？我好像在DM1.3 beta12的安裝裡沒看到這個app？
設定這些值是什麼意思，可以稍稍說明一下嗎？
kkyoiori2001 wrote:
oc只到1100MHz（1050mA）是因為我有時候開車會用到導航王
發現車充1A接上去用1100這個值是最好
也不會讓手機邊用電充不進去
好像應該是1100MHz (1050mV)才對....我現在在試-25mV，暫時看來還ok，降電壓對省電應該是最明顯，但要看每台機器的狀況囉，試出啥再向大家回報~
digogee wrote:
好像應該是1100M...(恕刪)
抱歉
打太快XD
1050mV
對了
降電壓有可能會造成運作的不穩定
如果常常出現當掉重開機之類的問題
把電壓調回預設
另外關於v6 supercharger
詳細可以參考這篇
http://forum.xda-developers.com/showthread.php?t=991276
大概是說Android都有一套配置ram使用的指令
同等於在Google Play看到的Auto Memory Manager這類型的記憶體管理
很多人說不需要安裝類的app是因為已經內建有了
我也發現這些管理記憶體的app會和手機可能有機會產生衝突
所以直接透過V6 supercharger所寫的指令去修改自己想要的值最快
Sony Z1
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