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Note 7 對續航力以及手機溫度有疑慮的請來看

這是我目前發現的一個問題 有可能是待機溫度偏高的原因, 第一張是我的s6 edge待機溫度


第二張是我not 7 的待機溫度


下面這一張是我發現CPU有兩顆大核 四顆小核都一直不會進入離線狀態大核只會最低在728KHz 小核最低442Mhz
2016-08-20 10:35 發佈
感謝分享
asurada-akf wrote:
這是我目前發現的一個...(恕刪)
感謝啊,請問這有辦法自己調整嗎? 還是要等三星修正軟體呢?
不知道耶!請有跟我一樣的朋友們也來說一下吧
asurada-akf wrote:
這是我目前發現的一...(恕刪)


Note 7是8890
S6e 是7420

兩者架構不同,應該要以s7來檢測才對

以os層來看都一樣,而note 7還有簡化android的趨勢

依照你的圖示資訊可以知道
note 7會從os系統調校來改善耗電情形,避免待機時非必要核心待命或降頻省電

手機溫度這是基本電子常識
熱能從電力為起端,所需的電力越大,發熱就越高
所需的導熱技術就要好,越小的體積散熱就不易
因此手機在高速運行下都會發燙原因(高速運轉所需電力加大+體積小熱源集中)

圖示很明顯看到,電力消耗並不符合期待
本身有將系統本身的服務完整檢視在進行檢測是最好,如出機預設值
進階點可以將非必要服務關閉,可抓出哪隻服務導致,OS Service可能就需要藉由root帳號才能停用

在note 7的圖示,可以得知Samsung為了保持8890的工作效率,Performance調校並不好
除消耗非必要電力、且容易造成廢熱

溫度高,電子零件本身就會到達臨界值,以目前技術來說,防止熱當並不難
我們可以回過頭去檢視s7系列與note 7兩者的Performance參數可比擬出,相同架構8890的問題

fonzae wrote:
Exynos 8890...(恕刪)


虛擬核心是intel的專利,
別說ARM,
連X86陣營的AMD都沒用過這個技術,
ARM是4C+4C,
通常配置是四個高效能搭配四個低效能。

我猜得沒錯的話,
這CPU閒置時會處於最低頻率不會關核,
兩個關核應該是開省電模式的關係。
佩服,用手機以來從來沒去注意這個問題
太認真了吧
asurada-akf wrote:
這是我目前發現的一個問題 有可能是待機溫度偏高的原因, 第一張是我的s6 edge待機溫度
第二張是我not 7 的待機溫度
下面這一張是我發現CPU有兩顆大核 四顆小核都一直不會進入離線狀態大核只會最低在728KHz 小核最低442Mhz
感謝版大細心整理出來,所以只要有使用NOTE 7就會慢慢吃電
之前看htc手機裡面用高通的處理器居然看到核心時脈沒有跑,正常使用好像不會跑高時脈
doggykoon wrote:
虛擬核心是intel...(恕刪)

doggykoon wrote:
虛擬核心是intel...(恕刪)


是的

4x A53@1.586GHz
4x Exynos M1 @

此部分會進行修改,謝謝。
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