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(刷機)(9/8更新)GALAXY NOTE XDA上英文版ROM中文化


altecqq wrote:
試刷了C版本感覺溫度...(恕刪)


a大, 小弟下載回來的, 資料來里都是火星字, 想請問一下, 在C內核里還有一個資料夾, 裡面的內核都是u.zip的, 請問是有什麼分別的
剛才連上 Kies 跳出軟體升級訊息...
PDA:LRT/PHONE:LRK/CSC:LRT (DBT)
DBT 是德國的代號?
這就表示升級後就變成德文了嗎?
unun281292 wrote :

altecqq wrote:
試刷了C版本感覺溫度...(恕刪)




a大, 小弟下載回來的, 資料來里都是火星字, 想請問一下, 在C內核里還有一個資料夾, 裡面的內核都是u.zip的, 請問是有什麼分別的...(恕刪)



U那個就是最低最低的電壓
如果手機不支援那麼低的電壓 應該會開不起來
可以試刷看看 不行再刷回來

我目前用7.3版4.3Kernel溫度還能接受
8.0版 溫度稍微高些

cacq288652 wrote:
試刷了C版本感覺溫度...(恕刪)

其實有點不明白,本身A B C已有定下電壓了,但它們下面還有u?還再低嗎?
U是屏幕的電壓,更低了。

有些手機服用後會出現閃屏等電壓不足的問題。

這個要看體質


unun281292 wrote:
其實有點不明白,本身...(恕刪)


V9.0 Change Log:
1、同步 GL HydraCore v5.3 的源代碼,自從 4.3 以後作者修復的 Bug 當然也跟著修復了
2、內核版本升級為 3.0.36
3、Root 問題應該隨原版本得到解決了
4、麥克風、攝像機、藍牙、WIFI、USB 等問題都應該隨原版本得到解決
5、去掉 BLN 支持

特性(下面有對比的表格):
【A/B/C】1、CPU 降壓
【A/B/C】2、GPU 降壓
【A/B/C/G/OC/EX】3、LCD屏幕的電壓從3V/3.3V降低為3.0V,希望可以解決部分機器閃屏問題
【A/B/C/G/OC/EX】4、內存電壓從1.2V降低為1.1V
【A/B/C/G/OC/EX/O】5、觸摸敏感度提升為 5
【A/B/C/G/OC/EX】6、較大幅度的降低了屏幕最高亮度,最低亮度和默認亮度也降低了,屏幕不再傷眼了;原來共 24 個亮度級別,現減少為 13 個級別,且降低了每個級別的亮度。基本上能兼顧戶外和室內情況,且省電不刺眼,個人非常滿意
【A/B/C/G/OC/EX/O】7、在設置-關於界面增加內核版本顯示,便於機友查看自己刷入的內核版本號
【A/B/C/G/OC/EX】8、優化了 conservative governor 的參數(但內核默認的 governor 為 ondemand),需要的同學可以自己修改為 conservative,更省電
【A/B/C/G/OC/EX/O】9、開機自動進行SD速度優化(read_ahead_kb 3072)
【A/B/C/G/OC/EX/O】10、支持關機鬧鐘,手機會在鬧鐘時刻提前4分鐘開機(原為1分鐘),解決部分手機鬧鐘無聲問題(註:要配合國行ClockPackage.apk使用,附件中已有)
【A/B/C/G/OC/EX】11、提高AC(如原裝線沖)和MISC(如車充等)的充電速度,內核允許的充電電流分別提升為1500mA(經試用後各版本已統一)、800mA,原分別為650mA、550mA
【A/B/C/G/OC/EX/O】12、使用了 Stand alone 這個 CPU Hotplug 模式,並調整了第 2 個核心的啟動和關閉閥值;並延後了 GPU 267MHz 這個高頻的啟動時機。實際使用的流暢度不變,但更為省電
【A/B/C】13、160-200-267MHZ 3 個 GPU 頻點,新增的中間頻率,跳到267MHz的時間會少一些,既省電又不影響性能
【A/B/C/G/OC/EX/O】14、/system 目錄默認改為可寫狀態,方便使用

各版本CPU&GPU電壓:
A 版本:
  CPU 降壓:
   1400MHz:降低為 1225mV(原為1275-1225mV)
   1200MHz:降低為 1150mV(原為1200-1150mV)
   1000MHz:降低為 1050mV(原為1100-1050mV)
   800MHz:降低為 1000mV(原為1025-975mV)
   500MHz:降低為 950mV(原為950-925mV)
   200MHz:降低為 925mV(原為950-925mV)
  GPU 降壓:
   160MHz:從 900mV 降低為 825mV
   200MHz:875mV(本內核新增的中間頻率,跳到267MHz的時間會少一些)
   267MHz:從 950mV 降低為 925mV

B 版本:
  CPU 降壓:
   1400MHz:降低為 1200mV(原為1275-1225mV)
   1200MHz:降低為 1125mV(原為1200-1150mV)
   1000MHz:降低為 1025mV(原為1100-1050mV)
   800MHz:降低為 950mV(原為1025-975mV)
   500MHz:降低為 900mV(原為950-925mV)
   200MHz:降低為 850mV(原為950-925mV)
  GPU 降壓:
   160MHz:從 900mV 降低為 800mV
   200MHz:850mV(本內核新增的中間頻率,跳到267MHz的時間會少一些)
   267MHz:從 950mV 降低為 925mV

C 版本:
  CPU 降壓:
   1400MHz:降低為 1175mV(原為1275-1225mV),我用CPU Spy發現在開屏時,此頻率停留時間超過30%,重點降壓
   1200MHz:降低為 1075mV(原為1200-1150mV)
   1000MHz:降低為 1000mV(原為1100-1050mV)
   800MHz:降低為 925mV(原為1025-975mV)
   500MHz:降低為 900mV(原為950-925mV)
   200MHz:降低為 825mV(原為950-925mV),我用CPU Spy發現在開屏時,此頻率停留時間超過30%,重點降壓
  GPU 降壓:
   160MHz:從 900mV 降低為 775mV
   200MHz:800mV(本內核新增的中間頻率,跳到267MHz的時間會少一些)
   267MHz:從 950mV 降低為 900mV

其他版本:
  CPU 降壓:同原版,未進一步降壓
  GPU 降壓:同原版,未進一步降壓

5098056 wrote:
U是屏幕的電壓,更低...(恕刪)


這個9.0…試刷過後 感覺溫度真的有點高些

並沒有比較省電說

還是傻傻的用4.2好了
4.2是那個核心。。。現在想找個發熱不高的。。
5098056 wrote :4.2是那個核心。。。現在想找個發熱不高的。。...(恕刪)


GL- HydraCore

5098056 wrote:
U是屏幕的電壓,更低...(恕刪)


哦明白了,就是那篇文章一直找到有關u的解釋說


Classic Rom v6 我自己用了點時間繁化
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