，玩遊戲就是爛，不喜歡不要買就好了，交給星粉去買
jahn236 wrote:
+1三星從以前給台...(恕刪)
lynchen wrote:bixby是主打功能 搭配bixby專用鍵 獨立出來的三星專屬功能
我之前用8895 s8...(恕刪)
以後每台三星手機都會有
竟然要關掉 手機才順
我有沒有看錯............
彈幕濃！
hiklop wrote:
以前我以為也是台積...(恕刪)
很顯然您的富士康友人不是講錯，就是他也是聽來的，一知半解
高中物理不就有教過能量不滅定律
---耗電越高，發熱越大(電/熱轉換)
照你所說的，如果台積電體質差，三星是配合台積電的體質而調高電壓，
也就是在同樣電壓位準下去對比
耗電越快，發熱越大，而三星代工的A9卻是發熱高於台積電
怎麼看也是三星的體質較差，不是嗎？
我不知道你接觸PC產業有多久，
在以前CPU還可以超頻的年代，為了能榨出更高的頻率與效能
都會加壓處理，體質好的發熱低
而體質不好的進行加壓則容易過熱導致壽命減少
真正的原因已經有半導體的同業也分析過A9耗能差異的真因了
-------------引述---------
不論16nm也好14nm，其實都是同一代技術，在數字比上一代的20nm細便行了。
在這一代技術上，Intel的邏輯單元明顯比其他廠的細小，它叫自已做14nm，
TSMC有點厚道，知道自已的邏輯單元大一截，不好意思跟著叫14nm，所以叫自已的做16nm。
三星其實在偷雞，技術上應該是28nm，之後到20nm，再到14nm。
他們跳過了20nm，直接叫自已做14nm，讓外界以為他們在技術追上Intel。
不過也不能說三星完全講大話，在20nm和14nm之間，邏輯單元其實是同樣大小，
最重要的分別是改用FinFET技術，即外界說邏輯單元結構上從平面轉為3D。
FinFET與舊平面技術的差異太技術性，我說了也沒有人聽得明白，
總之就是更省電，更高速吧。
代工A9處理器的製程，三星用是14nm第一代的14LPE技術，
而TSMC則是用16nm第二代的16FF+技術
在半導體業界中TSMC的16FF+比三星的14LPE省電20%，基本上是公開的秘密
主要是因為TSMC比三星的leakage做得更好，在電路靜止時電力流失較少，
TSMC在晶片上的絕緣體（substrate）製作上，累積了20nm的設計經驗。
三星抄捷徑跳過20nm，到最後始終要交學費的。三星第二代的14LPP技術，
應該可以與16FF+看齊，不過量產進度出了問題，所以三星只好用14LPE頂硬上
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下圖來說明在當時各家半導體製程的電路尺寸說明
雖然三星說是14nm LPE，其實他的大小介於台積電16nm與Intel 14nm中間
信我者天堂近了！！
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