dandoit wrote:
W跟J錯就錯,恩然後同一晶片裡你的四核關一核就降溫，高核轉低核就不會降溫，熱傳導生成熱跟傳遞熱，so?就是考慮W數，就到這，繼續轉吧！881(恕刪)
W跟J錯就錯
要討論就請提出正確的
四核關一核就降溫，高核轉低核就不會降溫
4核最高溫Z 關一核同頻跑 難道不會<Z 溫度?
高核轉低核當然會降溫阿! 但那是最終穩定後
你在切換瞬間 高核溫度Z +熱量Q1(J) 充滿整個手機還沒有散掉 就又多了低核 熱量Q2(J)
這時後 熱Q1+Q2是同時存在的阿!Q1會慢慢變小至0 , 但是Q2 通電發熱.要多久?
因此在轉換期間G 溫度會 >= 最終穩定溫度 (這是一個過程)
但是是慢慢穩定到你說的"高核轉低核就不會降溫" 所達到純低核的穩定溫度
繼續轉吧！881
基本上這是地球在轉也是存在於地球的物理原理!
你不知道地球會轉 以及 地球的物理現象 無所謂
但不要一直提出錯誤的觀念來誤導 或是 扯到一些不會影響主題比較的
88喔~
dandoit wrote:
那一題解一下吧！
高核5W低核2W,每分鐘切換一次每分鐘散失4J高核全跑5W，一小時後，高低核與高核能量與全時高核差異多少W。
我小學沒讀好，靠你了。(恕刪)
已經回答你了
每分鐘散失4J 就是 4/60= 0.067W, 但是 你認為散失X W 是一個固定值嗎?
機殼30度C能帶走熱多 還是20度C能帶走熱多? 如果發熱只有0.066W 你是要從哪裡帶走0.067W?
就算是固定值
切換時 高瓦(慢降至0)+低瓦 還是散4J, 你認為這樣溫度不會比 純高瓦 溫度高?
高低核與高核能量與全時高核差異多少W
不太懂你的意思
你如果要扯製程設計 扯TDP 等
與現在在探討的是 雙核切換 V.S 單核 手機整體溫度有何關係?
樓主在探討 散熱 穩定性的問題
怎一直扯到INTEL? 扯到發熱瓦?
簡單一句:
雙4核切換: 優點節能 缺點切換時延遲以及 穩定前比單4核更高的溫度
單高4核: 優點最高溫度固定, 缺點耗電
如此而已
，dandoit wrote:
你算清楚吧！高瓦在產生的熱量就這麼多，低瓦散失後多餘的會在把上一分鐘在多出來的散失掉，一直說盲點，你盲點才大，熱能就這樣，誰能量多就熱，誰總熱多，還要探討機殼溫度嗎？
最後面那一句我同意，
學你的，你的盲點在忽略關核就沒能量，切核就會瞬間雙核總能量，
能量是固定的，看轉換去哪裡？
(這算多說的，都雙四核了，不用全四開全四關，也不用有同時8核重疊，自行洽ARM。）..(恕刪)
所以這就是你的盲點了...
4核高瓦產生的熱量就這麼多
但是你在切換4核低瓦是 發熱速度是0W + 2W 這點沒有錯 <--盲點處
但是散熱速度卻不是! 原因:(利用superposition分析)
1. 高核充滿 晶粒+基板+機殼 總熱容C(J/K) 的降溫速率 是散熱速率(J/s)/總熱容(J/K) = K/s
單位1秒可以降低度C(K)數
2. 此時4核低瓦發熱 2W 的升溫速率 是 2(J/s)/總熱容(J/K)
3. 熱由晶粒傳到基板在到機殼再到空氣及放置物,
被充飽的30度C機殼(或機殼內空氣) 與室溫20度C機殼(或機殼內空氣)
誰帶走的熱多?與快?
因此 問題回到 你認為 散熱速率 會比 升溫速率 來的快?
就算只是0.0001度(秒)的差異 也是不違反這轉換過度期 2者的"相對關係"
學你的，你的盲點在忽略關核就沒能量，切核就會瞬間雙核總能量
應該是說關1核熱量會比4核熱量低...
但是你在切核的0.0000000001ms瞬間卻是2者 熱能 存在的 轉折點..
而一旦此時溫度被充高0.0001度C(最大也不會>雙4核全開)
就是我一直在強調的"相對性"
否則
你說"最後面那一句我同意"的根據是什麼?
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