心之死 wrote:你比較的溫度是指核心溫度還是螢幕溫度
單四核散熱也並非比較好
我看到的資料，S800滿載溫度上升很快，到達2.15G滿載頻率後，溫度高達73度C
但是同時瞬間降頻至1G以下
怎麼比S4的59度c還要高？
螢幕73度 我看這早就會是世界新聞了
5410資料怎都寫S4的核心溫度10秒就升溫到90度
核心溫度根本就是73比90
S800 CPU核心溫度跟5410螢幕溫度去比 拿這種不對等比較出來誤導
dandoit wrote:
嗯，我想想喔！我答兩...(恕刪)
所以
你的盲點 就是 在於 你認為 低4核(假設20W) 切到 高4核(假設30W) 這一瞬間切換的發熱 是30W
而不是(20+30)W --> (19+30)W --> (18+30)W --> ...(0+30)W
這就是通電發熱是一瞬間!晶粒的熱傳導也相當快! 但是散熱確是慢慢平衡!因為要把基板 機殼邊充滿熱及散掉
也就是在此切換的某段G時間內, 其實是 低4核瓦數+高4核瓦數的 熱容 同時存在, 然後低4核瓦數慢慢散至0
至於你要把20W或30W改成 50W和10W
或者是很複雜的扯到TDP
也不會改變這 低4核 切換的 高4核 某段G時間內 的過度升溫現象
若以設計者的角度來說:1.雙4核若溫度及穩定PASS--> 那們 2.低切高 或高切低 必定PASS --> 3.單4核也過!(也就是機殼整體溫度 1>2>3)
也因此
作者之意 應是 高4核全速 比 低+高4核 切換後全速 來的散熱(溫度)好
但是各有優缺:前者最高溫不過Z 但耗電, 後者最高溫卻可能 >Z 但待機時 低4核省電
不然你想想 在低切高 高切低 低切高 高切低 切換瞬間 難道低或高已使機殼提升的熱容會瞬間消失?
而高4核 > 高3核 全速同頻率 發熱, 本就如此阿!?
不太懂為什麼一直要和雙4核扯?
不知道這樣解釋
能否理解?
dandoit wrote:
恩，我終於懂你在說什麼了，大感動，哪麻煩您算下 A15為每分鐘耗5w,低的A7每分鐘耗2w每分鐘切換一次,1小時後,散熱片每分鐘熱傳導掉4w,還有多少w,當然原生四核就5w相信您不反對吧。(恕刪)
所以
有時候看懂作者想要表達的再來討論會比較適當
你要跟我表達的意思 就是STABLE的問題
我也在上一篇解釋清楚了
單4核 STABLE 溫度 < 切換後某段熱交換時間的 溫度 < 雙4核 最高溫度
只是發熱 你可以假設固定一個MAX值
但是散熱不行
因為熱主要由傳導與對流傳出
散熱量(瓦)
= f(各材質熱導係數*傳導接觸面積*出口端-熱源端溫差) + f(熱對流係數*對流面積*出口端-熱源端溫差)
之所以要一直強調開幾核 不會改變 熱傳參數 與總熱容, 並貼上主板照片 參考(路徑與對流面不會變)
但是問題就在於發熱的熱容造成出口端-熱源端溫差卻會降低, 所能帶走的熱量(瓦)減小
這也就是在高低核不斷切換時 除了溫差降低帶走熱小 再加上 突然灌1個熱源進來
而使這 熱交換某段G時間內 可能反而高出 單4核的溫度
並且 我提到以機殼溫度來看(因為機殼溫度提高 帶熱減小 連帶影響所有元件平衡溫度)
先糾正你的單位問題:散熱片每分鐘熱傳導掉4w
w的單位已經是 焦耳/秒了 沒有每分鐘幾瓦 只有每分鐘多少熱量(焦耳)
而 發熱(瓦) = 散熱(瓦) + 充熱(瓦)
但是散熱充熱是暫態問題 你要把最大散熱值固定4W來算就如下面 (值我是假設 "相對合理值")
假設高5W --> 切低2W (請注意 當你STABLE 發熱2W穩定時 散熱 < 2W喔! 因為這是熱平衡)
散熱(瓦) + 充熱(瓦)
卻是 散4 + 充1 --> 散4 +已充1+新充2.. 散<4+已充放<1(0.9)+新充2...+散1.1+0+新充0.9
也就是會存在轉換期間一個峰值4+1+2 = 5W + 2W 其實也就是發熱源
因此 才會有 單4核 STABLE 溫度 < 切換後某段熱交換時間的 溫度 < 雙4核 最高溫度 的風險
在設計上直接以 雙4核 最高溫度 PASS是最安全的
否則 就要清楚確定這轉換期間散熱與充熱速度形成的溫度變化
以瓦斯爐煮水來比喻
兩個一起開 2個爐心連線中間穩定溫度 28度C
左邊開大火 2個爐心連線中間穩定溫度 27度C
右邊開小火 2個爐心連線中間穩定溫度 26度C
左邊開大火 穩定後關掉 在 右邊開小火 2個爐心連線中間穩定溫度 27+x度C...<27(26.9)+>x度C.....26度C
在轉換期間 熱不會馬上散掉..也是造成轉換期溫度峰值 > 任1個單4核 最高溫 之風險!
dandoit wrote:
恩，是用J比較對，然後呢？
能量會在轉換與傳遞間消耗，不會莫名其妙一直累積，所謂的堆積熱能是有增加能量與散逸不及增加，你沒發現你們一直在強調雙四核會增加的熱散逸不掉，完全不去考慮所產生能量的多寡，一直用感覺的假說，而散熱裝置不再此討論，那要討論製程也太遠，AMD跟intel戰很久了，邏輯上產生的能量多寡就是多少熱（應該這麼說，核心的熱是能量轉換間產生的）
當然你的A+B>B，但是A不是跟B同時啟動，關了後有溫度但是不會再增加，就如同樓主說的四核關一核就開始降溫，用後面打前面，但是本質是一樣的，這不是矛盾？我都不知道你走出來沒？？？
你的峰值更奇怪，能量就這麼多，卻一直考慮瞬間峰值，唯一對的在於元件熱容積不足下，或是密閉空間，如包包袋子內（但一般在包包內休眠不會去跑峰值），但電子元件不會這樣設計，以長時間10秒來說的，是沒你這樣的問題，如果會，那原生一直跑早也崩潰，不要在舉爐火了，以這例子可能要在開一篇了
(恕刪)
恩，是用J比較對，然後呢？
重點就是說你說的是錯的
你們一直在強調雙四核會增加的熱散逸不掉
並沒有人說雙4核散不掉 懂的人都知道 不是說散不掉
而是 新熱充熱速度 與(新熱+舊熱)散熱 速度之間的關係
在切換瞬間 2者確實同時存在最高瓦數 峰值存在的問題
因此有可能會先爬升 (最大不會大於雙4核同開溫度) 然後在慢慢降下來 達到單4核的穩定溫度
完全不去考慮所產生能量的多寡
產生能量的多寡並不會改變雙4核與單4核的相對關係 哪怕只是0.001度C的差異
討論製程也太遠，AMD跟intel戰很久了
這與雙4核與單4核的相對關係 有何關係?
A+B>B，但是A不是跟B同時啟動
這就是你的盲點 切換瞬間的熱確是同時存在的阿!
你可以去查矽及基板的熱導係數 以及 通電發熱 難道 會比散熱需要久?
四核關一核就開始降溫
阿不燃哩? 4核高溫 難不成 3核 同頻率 不是降溫? 怎設計的阿?
我都不知道你走出來沒？？
走出哪?走出地球嗎?
如包包袋子內
這與雙4核與單4核的相對關係 有何關係?
舉爐火了?以這例子可能要在開一篇了
就如同你說J與W. 對應到雙4核切換與單4核
比喻給你理解.錯就是錯!不要胡說八道喔~
這麼簡單的東西需要多開1篇?多想想吧!
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