小弟磚過送修過一次所以不敢亂測試了

左腦 wrote:
這麼說EXT2/3/4在nand flash都會有block不平均磨損的問題囉....?
這樣讓小弟有點想un lagfix.....
jieing wrote:
您只要這樣想就通了:...(恕刪)
ezvgjami01 wrote:
那請問一下,Droid X 或 DESIRE HD 的 FLASH 也是1G - 1.5G
它們的 FILE SYSTEM 不曉得是採用哪一種的 !?
其它家的感覺比三星的RFS更有效率!?
左腦 wrote:
聽起來感覺似乎可以解決block磨損的問題
如何確定market上的lagfix是否有此process呢?
jieing wrote:請問您真的確定手機的Flash chip就沒有上面的那些東西輔助,只有單純的依靠file system來做?
SSD 裡面有自己的韌體和controller來解決這個問題
其中 FTL 負責把 data 用out-of-place的方式寫到不同的 block,並且maintain data 的 mapping table
還有 wearleveling 來負責平均每一個 block 的磨損
而且SSD還有自己的 buffer 可以緩衝一些 data
但是手機的Flash chip就沒有上面的那些東西輔助,只有單純的依靠file system來做
所以壽命會受影響
cbmtvb wrote:
請問您真的確定手機的Flash chip就沒有上面的那些東西輔助,只有單純的依靠file system來做?
連一些記憶卡或隨身碟都號稱有 wearleveling 來負責平均每一個 block 的磨損了,高階手機上的 Flash chip 若能 wearleveling 應該也不為過吧?