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S855 的 Anandtech 評測出來了,與 E9820 相比?

Leonarka wrote:
目前到底有哪個常見常用的APP
是上代S835跑不動的?(恕刪)


1. PUBG 正 3 版(國際版、刺激戰場、全軍出擊)









在 HDR 高清 + 極限幀率 (45 fps) + 反鋸齒的設置下,S835 跑起來並不算順暢,隨時都能遇到掉幀與卡頓


2. Asphalt 9:Legends 狂野飆車 9:競速傳奇




在高畫質的設置下,沒有辦法穩跑 30 fps



3. High School Simulator








開啟物理模擬、光影、最高畫質、血液、最高紋理 (總之設置為最高負載最吃效能),一轉個視角就會明顯掉幀卡頓,飛到天空一樣掉一樣卡



4. 狂野飆車系列
(含
狂野飆車外傳:越野造極
狂野飆車 8:極速凌雲)






同樣,在高畫質設置下無法穩 30 fps


5. 明日之後:末日生存手游

一款讓 S845, S835 手機能有「S810 級噴火龍體驗」的恐怖遊戲,機身溫度可以輕易的上到 50°。
並且,S835 遊玩時轉動視角即會卡頓,還非常容易出現過熱降頻、超有感掉幀的情況






在 60 fps,自定義畫質 (渲染精細度、光影效果、陰影效果、植被細節共 4 個選項全部設為極高,也就是最高;解析度 、玩家數量、遠景距離同樣設為最高)




RAW 檔修圖:











一張 raw 檔就要好些時間處理呢
越快越好沒有問題吧?




Google Photo





一個幾分鐘長的 1080P SDR 30fps 影片,就要好久的時間消除手震喔,越快越好呢










Google Camera







疊圖疊那麼久,很痛苦的

越快越好,秒成更好,誰有意見?
5j3rul3 wrote:
1. PUBG 正 ...(恕刪)


以上遊戲,即便是 ROG Phone、Mate 20 Pro 也無法穩住最高幀率(30 fps 或 45 fps),更別提穩跑標準流暢的 60 fps、90 fps, 100 fps, 120 fps, 144 fps, 165 fps, 200 fps, 240 fps



還有:

HDR Gaming (HDR 10 標準、bt. 2020 色域、10 bit 色深)

Ray Tracing Gaming(光線追蹤遊戲)

2K / 4K / 8k Gaming

XR / VR Gaming

GDDR5, GDDR5X, GDDR6, HBM2 採用




這些,都是手機還不具備穩跑 60fps 的能力與規格證明







別說用不到沒感覺


更省電、更迅速、效能更好、更耐操、能做更多事情、發熱更低、性能更穩定.........








有更好的,幹嘛不要?
不論是三星或是華為自製的cpu
跟同級的高通cpu相比
實機使用的感覺差太多

手機的cpu王道依然是高通
暫時不會有任何的改變
tom7089 wrote:
不論是三星或是華為自...(恕刪)


之前個人試用過 Mate 20 Pro 數個禮拜,對 Mate 20 Pro 採用的 Kirin 980 SoC 映像深刻
( PS:手持 S845 的 ZF5Z 與 S835 的 XZP)


Kirin 980 的省電與溫控部分,Snapdragon 與 Exynos,甚至是 Apple A SoC,都沒有 Kirin SoC 來的好




個人可以非常肯定的回答到,Kirin 980 SoC 是一顆使用者體驗絕佳的處理器
最大的問題是製程
7nm Vs 8nm
已經不能說是同級處理器吧
大大那你覺得三星14nm跟tsmc 16呢?可以比嗎?
5j3rul3 wrote:
1. PUBG 正...(恕刪)

5j3rul3 wrote:
之前個人試用過 Mate...(恕刪)


你知道Mate 20 Pro為了幫kirin980這顆火龍降溫
必須同時採用「石墨烯材料+VC液冷冷板」來幫它降溫嗎?

你知道為了讓kirin980的電夠用
Mate 20 Pro就算犧牲手機結構強度,也要把有限的空間騰出來把4200mAh的電池給塞進去嗎?

現在是討論cpu,不是討論手機啊

另外,kirin980是以S845為假想敵來設計,那比它晚推出的S855,會比它差還是比它優呢?

sw969239 wrote:
記憶體高延遲也有機會搭配lpddr5改善


完全不會,目前DRAM技術,從以前的PC100/PC133,到DDR/DDR2/DDR3/DDR4,一定是犧牲latency來換高頻率,所以越高頻的DDR他的延遲越高
我看行業標準ddr3 1600 ct1.25c cl11延遲是13.75
ddr4 2133 ct0.94 cl15 延遲14.06
ddr4 2666 ct0.75 cl18 延遲13.5
看起來記憶體並沒有因為換代而有明顯的延遲上升

所以大大覺得用心的記憶體會延遲表現更糟?

再者我轉載一下anandtech 的文

Moving onto the linear graph, here we can see the difference in DRAM latency in a clearer fashion. The Snapdragon 855 does seem to slightly improve memory latency over the 845, however this might just be an effect of the newer 2133MHz LPDDR4X memory that represents a 14% speed boost over the 1866MHz memory of last year’s devices.

文中認為855沒改善記憶體延遲,延遲下降可能因為用了較高頻的記憶體,大大認為呢?anandtech筆誤?
sw969239 wrote:
我看行業標準ddr3 1600 ct1.25c cl11延遲是13.75
ddr4 2133 ct0.94 cl15 延遲14.06
ddr4 2666 ct0.75 cl18 延遲13.5
看起來記憶體並沒有因為換代而有明顯的延遲上升
所以大大覺得用心的記憶體會延遲表現更糟?


Lantacy cycle是從11變成15再變成18
確實Latancy是越來越高
可是你的時脈也變高同時,換成時間就不見得會比較高
你看ddr3-1600跟ddr4-2666
看起來2666厲害很多呢,但真正的CL其實大很多
假如把Latancy從cycle轉換成時間
從13.75變成13.5ns而已,幾乎沒什麼進步
這就是DDR的魔術囉
當然頻寬明顯變大,即使Lantacy沒有太多改善。依然是有用處啦
對於GPU這種對Lantacy不敏感的單元來說幫助就很大
對於CPU這種對Lantacy敏感的單元就不一定了
例如(我亂舉例)DDR3-1600 CL9效能還高於DD4-2666 CL13
這在一些測試是非常有可能的
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