MONS777 wrote:
MONS777 wrote:
有問題請教
1.高溫會使漏電暴增,但漏電會使溫度大幅增加嗎？基本上這樣說沒錯。
再問:所謂漏電就是電子因為穿隧效應跑掉了,那是甚麼機制使溫度升高的?
V*I造成的功耗，轉換成熱能了。
另外，standby leakage大部分的來源是drain-to-source leakage，主要來源是sub-threshold leakage，與溫度成正相關，溫度愈高，leakage愈高。
至於穿隧效應(Tunneling)造成的leakage，我想你指的應該是gate leakage，這個佔整體的leakage份量很小，而且它對溫度不敏感；不過，雖然它佔比很小，卻會影響到function。
其他跟Tunneling有關的是GIDL，雖也會造成漏電，但現在比較少人在提了(畢竟佔比也不大，也不影響function，對溫度也不敏感)。
還有DIBL造成的leakage則是在操作時才會出現，Standby不會影響。
2.2.功耗/晶片面積這個名詞有沒有意義,可不可以拿來衡量產品的效能？當然有了，當一顆IC封裝一確定，它能容許的功率就跟著確定了，如果超過這個值，就必須加散熱片，不然封裝會熔化。
再問:那10nm的功耗/晶片面積是比 16nmff+差的,因為功耗降低40%,但面積變成50%,那請問影響為何?
這很難說，finfet最大的好處，就是standby leakage很小，所以這個漏電對整體功耗影響比較小。造成三星與台積電功耗大幅不同的，還是在於三星的DIBL遠差於台積電的，所以在操作時的電流比較大，V*I的功耗一大，自然就容易發熱，並且low battery life time了。
至於10nm跟16nm的影響，這就不確定了。畢竟我沒投過10nm，我只用過16nm，而且還只是在test chip的階段.....
