究竟會去到多細呢？？ 1 fm = 0.000001nm ?? 如果是1fm, 那還有太大空間了
大家有什麼看法
chen1996 wrote:
究竟會去到多細呢？？...(恕刪)
記得物理極限好像是 7nm?? 可能在3-4年會到吧? 接下來不知道他們會搞甚麼東西出來. 在往下去好像也蠻難的, 尤其是生產成本在10nm就會大幅提高 (EUV機台太貴, triple patterning太久 etc), 到7nm之後在往下的成本效益可能會完全消失.
新聞來源: 電子時報 (2012.3.21)
摩爾定律(Moore's Law)極限浮現與18吋晶圓世代來臨，將是半導體產業兩項大革命，全球半導體廠都在思索未來趨勢，台積電技術長孫元成20日指出，摩爾定律未必走不下去，只要與3D IC技術相輔相成，朝省電、體積小等特性鑽研，將會柳暗花明又一村，未來10年內持續微縮至7奈米、甚至是5奈米都不成問題。
晶圓尺寸持續從4吋、5吋、6吋、8吋一直擴展至12吋晶圓世代，原本2011年開始準備迎接18吋晶圓世代來臨，但直至現在18吋晶圓技術和機台設備仍在研發階段。孫元成表示，2009年全球金融海嘯來襲，導致全球轉進18吋晶圓世代時間點又晚2年，然除晶圓尺寸外，外界認為摩爾定律已達極限說法，其實未必適用。
孫元成表示，只要加入一些創新元素，如3D IC技術配合，摩爾定律可一直走下去，在未來10年內半導體技術持續微縮至7奈米、5奈米都是可行的，因為摩爾定律理念或3D IC技術有互補功效，都是把系統產品作小、成本作低，且降低耗電量，非常符合現在整個半導體矽晶圓產業聚焦行動通訊應用趨勢。
台積電已與英特爾(Intel)、三星電子(Samsung Electronics)、IBM和Global Foundries等半導體大廠共同成立Global 450 Consortium計畫，在美國紐約州Albany研發18吋晶圓技術。半導體業者認為，若摩爾定律在10奈米製程以下浮現無法克服的極限，對於半導體大廠將非常不利，等於技術走到瓶頸，等著所有後進者蜂擁而至追趕，因此，這些大廠一定要轉進18吋晶圓，用技術和資金築起厚實的競爭圍牆。
不過，台積電指出，現在來講摩爾定律是否到極限其實還太早，因為可加入許多創新技術，來輔助摩爾定律持續走下去。比利時微電子(IMEC)營運長Luc Van Den Hove亦指出，半導體技術在90~65奈米製程是採用Strained Si技術，在45~28奈米階段是用High-K金屬閘極技術(HKMG)，而22奈米以下一直到14奈米製程，則會轉至3D晶片FinFET技術。
至於在10奈米製程以下技術，台積電則表示，現在來看是要採用極紫外光微影製程(EUV)，或是多電子光束無光罩微影技術(multiple-e-beam maskless lithography；MEB)都還未定，目前內部是不同技術設計都投入研發
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