中芯國際40nm ReRAM存儲晶片出樣：比NAND快1000倍
除了3D XPoint晶片外還有ReRAM晶片（非易失性阻變式記憶體）。
2016年3月，Crossbar公司宣佈與中芯國際達成合作，發力中國市場。其中，中芯國際將採用自家的40nm CMOS試產ReRAM晶片。
近日，兩者合作的結晶終於誕生，中芯國際正式出樣40nm工藝的ReRAM晶片。
據介紹，這種晶片比NAND晶片性能更強，密度比DRAM記憶體高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，耐久度高1000倍，單晶片（200mm2左右）即可實現TB級存儲，還具備結構簡單、易於製造等優點。
另外，按計劃更先進的28nm工藝ReRAM晶片也將在2017年上半年問世。
目前主流就 flash disk 或是 一般 hdd disk .
flash 快 但是 容量現在到 tlc 才開始出現 256g 512g . 離 hdd 1tb 起跳到 4t 8t
很遠 . HDD 還是有市場 .
一堆新世代 feRam or 相變化記憶體（PRAM or ReRAM 有量產嗎 ?
feRam 有些使用 單晶片 micro controller 內 , 但是使用的 不多 ,
或是使用 "氧" sensor , 因為feram 好像對氧有反應 .
至於 reRam 好像也是 paper 看很多阿 .
但是一般usb disk 有賣 reram嗎 ？
到底 reram 使用在那地方 ?
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