同樣是Intel企業級SSD，MLC與TLC的壽命怎麼差異這麼大

fctsai
個人積分：1353分
文章編號：75099417

1353分

樓主

2019-10-23 12:54

Intel DC S3500、S4500、S4600 同樣都是480GB的容量下
S3500（MLC）壽命：275 TBW
S4500（TLC）壽命：0.90 PBW
S4600（TLC）壽命：2.95 PBW

通常不是MLC會比TLC壽命好嗎？還是韌體寫的好，壽命也翻倍了，
尤其同一個時期的S4500、S4600 差異高達3倍，
這些壽命的差異是為什麼呢？

2019-10-23 12:54 發佈

文章關鍵字 Intel SSD TLC 壽命 mlc 差異

Boya.tw

Boya.tw
個人積分：792分
文章編號：75100580

792分

2樓

2019-10-23 14:22

fctsai wrote:
Intel DC S...(恕刪)

看一下吧

dennis168

dennis168
個人積分：490分
文章編號：75101969

490分

3樓

2019-10-23 16:01

fctsai wrote:
Intel DC S3500...(恕刪)

1.正常狀況下，PE數SLC>MLC>TLC>QLC。
所以解釋Intel DC S3500、S4500的差異。

2.同樣製程的TLC加上新技術後，PE數也有可能更高;而主控也有強弱之分，愈強的主控，判定BAD的機率會降低(也就是說PE非固定值的說法)。
所以解釋Intel DC S4500、S4600 的差異。

所以當跳代MLC變成TLC的時候，理論上應該會降低TBW，但是因為新的顆粒可能會配合新的主控，新的主控增加了除錯能力後，變相增加了PE數，一加一減的結果，就是TBW在後期會和MLC相同。

宅男乙

宅男乙
個人積分：5708分
文章編號：75102648

5708分

4樓

2019-10-23 16:55

fctsai wrote:
尤其同一個時期的S4500、S4600 差異高達3倍，
這些壽命的差異是為什麼呢？...(恕刪)

因為
S4600 是 960GB, S4500 是 240GB

S4600 容量大了4倍.

總之容量愈大, 那個值就愈大..
https://wintelguy.com/dwpd-tbw-gbday-calc.pl

因為 flash 程式都會傾向用最大分散方式去擦寫,

盡量讓每個單元的擦寫次數都去接近平均值..

所以, 都會先找最沒被擦寫過的地方出來擦寫.

比較大容量的是不是有比較多的地方可以擦寫.

fctsai

fctsai
個人積分：1353分
文章編號：75103399

1353分

樓主

2019-10-23 17:52

宅男乙 wrote:
因為 S4600 是...(恕刪)

所提供的S4500、S4600比較資訊都是在相同容量下480GB的壽命差異，
或許真的是2個的主控差異，在IOPS上也是有所差異

小笨賢

小笨賢
個人積分：4214分
文章編號：75104957

4214分

6樓

2019-10-23 20:41

fctsai wrote:
所提供的S4500、S4600...(恕刪)

高階的 SSD 備用晶片多很多顆唷!!
所以寫入量變少很多!! 不用一直搬移!!

dennis168

dennis168
個人積分：490分
文章編號：75110263

490分

7樓

2019-10-24 10:36

fctsai wrote:
所提供的S4500、S4600...(恕刪)

在IOPS上也是有所差異 @@，你講的這個和TBW應該沒關係吧?
IOPS是效能指標，TBW是壽命指標!

其實，不理解你想知道TBW產生的差異做甚麼?
目前也只剩下S4600是現貨，S4500有也應該是庫存出清!
要選擇，也就是選S4600，也不可能去選S4500阿?

ching9009

ching9009
個人積分：108分
文章編號：75130942

108分

8樓

2019-10-25 20:51

dennis168 wrote:

在IOPS上也是有...(恕刪)

請問intel DC S4600 大檔案寫入會嚴重掉速嗎？

fctsai

fctsai
個人積分：1353分
文章編號：75138703

1353分

樓主

2019-10-26 18:01

dennis168 wrote:
在IOPS上也是有所...(恕刪)

在網路上反而上S4500買得到，S4600買不到，
S4600在規格上真的比S4500好

eriks626

eriks626
個人積分：792分
文章編號：75141532

792分

10樓

2019-10-27 0:12

雖然是 TLC ,但是用的是 3D 堆疊架構，每個記憶 Cell 尺寸大，所以寫入次數比較多！