PCI-e如SAS通道,都是全雙工的規格,那有任何測試是關於PCI-e SSD同時做R/W的嗎? 目前看到的開箱文章都是同時間只做R or W,但同時R/W的好像沒看到,不知道有沒有前輩有這方面的心得? 還是目前PCI-e SSD是因為控制器的設計,所以目前只能同時間做R or W其中一件工作?
上圖 H:1TX2 raid0 --> 覆製120GB檔案--> D:WD/SN750下圖 D:WD/SN750 --> 覆製120GB檔案--> C:桌面同時執行D槽覆製到C的桌面, 及, H槽寫入D槽, 不知這樣有沒有回答到你
1.全雙工的意思是Host打command給Device,同時Device也可以同時打command回Host2.經由第一點敘述,這裡面並不是只有Read/Write command,因此僅看Read/Write無意義3.再來就是以SSD內部架構來說大多不會Read/Write同時進行,並且大多消費類產品內部僅有1個CPU,HW限制不可能同時做Read/Write,因此即使在通道上面理論可以同時做Read/Write,但是SSD上同時做Read/Write也必定無法測到極速(單一時間下IOPS)
lf2net4589 wrote:PCI-e如SAS通...(恕刪) 不知有沒有先進試過,假設要COPY 50個檔案夾到SSD內,其內各有100~200張5~10M的照片,1.檔案夾A COPY完=>檔案夾B COPY完.....2.檔案夾A COPY中就拖檔案夾B、C、D、E......去COPY(因為要邊看內容邊決定是否COPY,所以不會一次全選好在COPY)這兩種方式COPY速度上會不會差別很多?因為我使用的結果,第2種方式常常會卡住,變成花更多時間才COPY完.......
KiKiUnicorn wrote:不知有沒有先進試過,...(恕刪) 對於SSD內部的設計並不會知道你copy A資料再copy B資料Host只會告訴SSD哪些位置要寫哪些資料因此間格寫跟連續寫的最大差異是 間隔的過程中有更多的時間可以讓內部FW去做資料整理而連續寫的過程中必須要在寫的過程中同時做整理主要差異僅此而已所以第一點跟你中間間隔的的時間很密切關聯如果中間都是間隔1us,那其實測起來我認為差不了太多連續的寫入資料速度變慢=>合理連續的寫入資料但發生卡住=>不合理大多都是FW設計上不夠完善導致的還有另一種是第一點會卡住反而第二點不會卡住那又是另一套說法了