第5代SmartSLC技術導入 Western Digital推出iNAND 8521與iNAND 7550嵌入式快閃記憶體



Western Digital旗下SanDisk近來針對智慧型手機與行動運算裝置再度推出了iNAND 8521與iNAND 7550兩款嵌入式快閃記憶體。兩款記憶體顆粒皆是採用了Western Digital 64-Layer 3D NAND技術,單顆記憶體容量規格最高皆可達到256GB。而其中的iNAND 8521嵌入式記憶體除了是採用UFS2.1標準設計之外,還導入了第五代SmartSLC技術來加快記憶體顆粒的存取效能表現,循序讀寫效能分別可達到800MB/s與500MB/s,隨機讀寫IOPS表現則可達到50K與45K IOPS。


至於另外一款iNAND 7550嵌入式快閃記憶體則是採用了eMMC 5.1標準以及第四代SmartSLC架構設計,循序讀寫速度最快可達到讀取300MB/s、寫入260MB/s,隨機讀寫IOPS表現則可達到20K與15K IOPS。


Western Digital iNAND 8521與iNAND 7550兩款嵌入式快閃記憶體目前已經進入OEM試樣階段,預計很快就會出現再實際裝置展品上。

2017-12-05 15:34 發佈
既然使用了所謂的"SmartSLC"技術(應該是模擬SLC讀寫的技術吧)
那就代表....
這絕對不是SLC顆粒

那麼重點來了,
這玩意兒到底是MLC、TLC
還是傳說中的QLC()咧?
(應該不是QLC啦...但是感覺應該是TLC...)
這兩顆是for mobile
用哪一種顆粒根本就不重要
而且現在的手機大部分也都是TLC了
反正一台最多用2~3年
寫入量也很小
TLC用起來和SLC根本沒兩樣

那顆UFS能跑到800/500算是很了不起的速度了
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