• 2

Samsung 抓 Plextor 當主要對手?

看到友站有這個新聞
「採用 3D V-NAND 快閃記憶體,Samsung 發表 850 PRO SSD」
請問大大這個技術是什麼阿?

內文當中
「從日本媒體所公佈的數據來看,採用 3D V-NAND 的 850 PRO 在表現比 840 EVO 與 840 PRO 要好,同時也有機會與 Plextor M6P 進行 PK。」
沒想到PLEXTOR被三星抓來當對手了
其他品牌好像都不看在眼裡
光寶要小心奧步阿
2014-07-01 11:57 發佈

三星電子(Samsung Electronics)1日宣布推出新固態硬碟(SSD)--「850 PRO」(見圖),新品採用3D V-NAND Flash快閃記憶體技術,適用於高階個人電腦和工作站,AnandTech稱這是首款為消費者設計的3D NAND固態硬碟。

AnandTech和韓聯社報導,和前代840 PRO相比,850 PRO速度、耗能、耐久性都更好,預定將在中國、美國、德國等53國推出。新品具備「動態熱能防衛」功能(Dynamic Thermal Guard),能在運作時維持恆溫,避免過熱造成資料流失。850 PRO有四種容量可供選擇,包括128GB、256GB、512GB、1TB。

850 PRO採用第二代V-NAND技術,堆疊32層,高於前代的24層,三星先前曾表示這是業界首見技術。傳統NAND把電晶體依照X、Y軸水平排放,但是縮小電晶體體積有其極限,3D NAND或V-NAND加入Z軸,可以垂直排放,意味業者不只能在平面放置電晶體,還可以層層堆疊,有助降低生產成本。(介紹影片請見此)

Gartner預估,今年全球固態硬碟市場將達145億美元,較去年的110億美元增加31.8%,估計2017年還會成長到235億美元。

三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd.)5月28日發布新聞稿宣布,該公司已開始量產業界首見的高階NAND型快閃記憶體「3D V-NAND」,這種記憶體採用32個垂直堆疊的的平面細胞層,是該公司第二代V-NAND。與平面的MLC NAND SSD相較,全新3D V-NAND SSD對資料寫入擁有兩倍耐受度、耗電量更低了20%。三星去(2013)年推出資料中心專用的3D V-NAND SSD之後,目前正在將應用範圍拓展至高階PC。
免責聲明:以上資訊,僅供笑話 ,並不構成投資建議,亦不代表本人真實意圖,讀者須自負風險及判斷,個人不負任何責任
依三星的慣性
把技術寫成這樣又是首創
價格一定不便宜阿

倒是intel都沒有什麼新技術的出現
Plextor的truespeed跟PlexTurbo也都沒這樣大張旗鼓的說明和介紹
3D其實已經說很多年了 只是一直沒有太大的進展
因為有一些技術面的困難 是必須等著被克服

Flash方面的技術 與SSD品牌或是Intel一點關係也沒有
不是它不大張旗鼓宣傳 而是上的了檯面的技術可以宣傳
truespeed跟PlexTurbo了 只是一個演算的應用方式罷了
因此與Flash的3D技術根本是天與地之差

doramai wrote:
依三星的慣性
把技術寫成這樣又是首創
價格一定不便宜阿
倒是intel都沒有什麼新技術的出現
Plextor的truespeed跟PlexTurbo也都沒這樣大張旗鼓的說明和介紹


差很多

三星有自己的半導體 Fab 廠, 自己的 Flash 製程, 自己作 Flash 顆粒

Plextor 牌的 SSD 是向別人買別人作好的 Flash 顆粒

changpizz wrote:
Flash方面的技術 與SSD品牌或是Intel一點關係也沒有


Intel 的話有關喔. 他們也是有自己的 Fab 廠,
而且他們的半導體製程技術比其他人都好.

doramai wrote:
看到友站有這個新聞「...(恕刪)

太棒了
三星快點倒貨
這樣大家都有便宜的用
doramai wrote:
看到友站有這個新聞「...(恕刪)


以生產線的規模,對手不是美光就是intel

論SSD有SSD產品,記憶體前陣子也有產品

plextor在三星眼中可能算是小廠
只開固定品牌真是抱歉阿,說別人是網軍拜託也強一點好嗎

wqwang wrote:
plextor在三星眼中可能算是小廠


不需要寫 "可能"
三星電子(Samsung Electronics)9日宣布量產業界首見的3-bit 3D記憶體NAND flash晶片,可用於SSD硬碟,提升儲存效率。

韓聯社報導,三星8月首次發表這款記憶晶片,每個記憶單元(cell)皆可儲存3 bit數據,之前3-bit技術僅用於平面(Planar)NAND flash,如今拓展用途,使用於3D NAND flash。

新款3-bit 3D晶片採用第二代V-NAND技術,垂直堆疊32層,整合程度比24層晶片高出30%。NAND flash多用於智慧機、平板等行動裝置,電源關閉後,儲存內容也不會消失。DRAMeXchange數據顯示,今年第2季,三星電子NAND flash市佔率達30.8%,季增0.8%。

BusinessKorea 9月16日報導,2000年中期以來,NAND flash製程從40奈米一路降至16奈米,業界專家認為14奈米將是微縮製程極限,因為10奈米NAND flash技術上雖然可行,可是所需的設備投資過高,就算生產也難以獲利。

微縮製程遭遇瓶頸,業者因此另闢蹊徑,改採3D垂 直架構。報導稱,其中三星電子技術最為先進,今年5月推出業界首見V-NAND技術堆疊32層,高於前代的24層。部分專家預估,三星可能已經完成48層堆疊的原型技術。另外SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)等也投入研發。

免責聲明:以上資訊,僅供笑話 ,並不構成投資建議,亦不代表本人真實意圖,讀者須自負風險及判斷,個人不負任何責任
  • 2
內文搜尋
X
評分
評分
複製連結
Mobile01提醒您
您目前瀏覽的是行動版網頁
是否切換到電腦版網頁呢?