喔耶齁哩送 wrote:可能是樓主人品太好買到有精密挑過的好物...(恕刪) 不曉得intel的顆粒有多強如果純以軟體顯示的資訊來講的話大概可以到2PB(約8400次寫入)在最後0%的時候再給餘裕的話有機會可以挑戰10000次寫入
rockmanxza wrote:不曉得intel的顆...(恕刪) 其實不論哪一個品牌的Flash 都勢必會有內部的等級區分法所以只要是較高等級的顆粒 都已經被挑選成高價格產品線了至於一般普通等級的顆粒 要說到底能夠寫多少次的話 就必須看寫的模式NAND FLASH 在不同的測試條件下 出現問題的時間點就會不一樣這也就是為什麼F/W會不斷的去做調整的原因 畢竟分位的演算是可以減緩顆粒的壓力不斷高壓不間段的讓全部FLASH都高負載 那PE值的保證數量 就是很需要也可靠的評估根據但如果並不是全部都相同的溫度和演算條件 那麼FLASH就能有機會獲得不同的喘息機會如此FLASH內部的漏電或偏移`電閘電位大問題發生可能性 有了很大程度的機率下降不斷電的壓力測試 也並不一定看到就是真實情形 因為很可能斷電閒置個幾天 資料出現了消失問題