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NAND Flash技術競賽跑過頭效能下降、不適用SSD眾廠猛推存疑慮

meridian wrote:
有差啊edge di...(恕刪)


你的意思是說wafer 中間與邊緣如果都合乎spec,那麼中間切出來的die所做成最終產品其極限值會大於邊緣的die嗎?

也就是說x25-m G2 的規格是讀取250M,寫入70M, 所以中間die性能有可能比[讀取250M,寫入70M]還高囉

如果是這樣理論我還會接受,但如 johnnydee所說的x25-m G1 是中間die好貨,G2是邊緣die的爛貨--->這樣的說法實在無法說服別人的

況且如intel 官網所描述,G2的性能比G1還好喔,所以應該反過來說G2是中間die的好貨吧,G1才是爛貨

小仲827 wrote:
你的意思是說wafe...(恕刪)


我並不打算說服你甚麼,因為intel不會讓我把他們在切割wafer的過程給你看還解釋給你聽的,D2早期的良率真的很差,你知道D2做成NAND FLASH之後平均每顆有多少%的Bad block嗎?但是現在不叫D2叫做DB了,良率有提升,效能自然可以往上看一些,所以現在如果是用DB的G2,會比用D2的G2好。

再進一步說,這些Bad block或多或少都會影響到controller的讀寫速度,但好處是這些是INTEL自己挑的東西,比非INTEL的廠商撿的D2/DB品質要好也穩定很多。

阿...忘了說,有人說到重點就是邊緣的WAFER也可以挑出勘用的東西,只要合乎SPEC就好,打個比方就是一籃爛蘋果裡面挑個可以吃的,跟一籃好蘋果裡面挑個很好吃的。
小仲827 wrote:
嘿嘿....終於把你...(恕刪)



"A bin is then defined as a good or bad die. This wafermap is then sent to the die attachment process which then only picks up the passing circuits by selecting the bin number of good dies. The process where no ink dot is used to mark the bad dies is named substrate mapping. When ink dots are used, vision systems on subsequent die handling equipment can disqualify the die by recognizing the ink dot.

"In some very specific cases, a die that passes some but not all test patterns can still be used as a product, typically with limited functionality. The most common example of this is a microprocessor for which only one part of the on-die cache memory is functional. In this case, the processor can sometimes still be sold as a lower cost part with a smaller amount of memory and thus lower performance. Additionally when bad dies have been identified, the die from the bad bin can be used by production personnel for assembly line setup."
(http://en.wikipedia.org/wiki/Wafer_testing)



"The Pentium FDIV bug was a bug in Intel's original Pentium floating point unit (FPU). Certain floating point division operations performed with these processors would produce incorrect results. According to Intel, there were a few missing entries in the lookup table used by the divide operation algorithm."
(http://en.wikipedia.org/wiki/Pentium_FDIV_bug)


小弟要睡覺了,所以就不幫忙翻譯了.....

以上標藍字部份為文章出處......

不能看到英文就跳掉喔.....
johnnydee wrote:
我並不打算說服你甚麼...(恕刪)


我只知道世界一等一的大廠Intel ,他們出產的產品有一定品質與水準,只要不是山寨版的Iintel ssd

任何人在市面上買到的Intel ssd 都有Intel 的商品保證,況且也不是Intel 獨有

其他知名3C品牌廠商,對於他們所製造(或販售)的產品,都有相當的品質保證

G2的性能比G1好是眾所皆知,你能反駁嗎?Intel 官網數據是假的嗎??
小仲827 wrote:

我只知道世界一等一的大廠Intel ,他們出產的產品有一定品質與水準,只要不是山寨版的Iintel ssd

任何人在市面上買到的Intel ssd 都有Intel 的商品保證,況且也不是Intel 獨有

其他知名3C品牌廠商,對於他們所製造(或販售)的產品,都有相當的品質保證

G2的性能比G1好是眾所皆知,你能反駁嗎?Intel 官網數據是假的嗎??


原來如此,還有山寨版的INTEL SSD就是了?這倒是第一次聽過。

所以你這樣講法等於是你完全信服了INTEL這個廠牌,所以INTEL就等於不會出包?

我並沒有說G2比G1性能好是錯的話,我只想讓你知道G2的34nm耐久性很有可能不比G1好而已,老實說G1的性能R260MB,W80MB,RANDOM 4K可以30MB寫入已經很夠用了。

原來我跟一個INTEL死忠粉絲在認真了,這真是不好意思,時間晚了早點休息吧。
照現在 NAND 的走勢
Flash MP3: 沒問題啦,就算一年把16GB 用滿重新灌新歌,也可以用幾百年了。
U 碟: 要改改習慣了,當備份資料是 OK,要是把它當硬碟玩,可能有點危險。
SSD: 如果沒有突破性技術出來的話,小弟是不太看好。
johnnydee wrote:
原來如此,還有山寨版...(恕刪)


我就知道你會提到耐久性(壽命),據側面了解G1跟G2的壽命應該是差不多的,只是臨時google不到相關資料

G1與G2的比較

http://financenews.sina.com/sinacn/304-000-106-109/2009-07-24/10001119097.html

因為從你一開始的po文就有提到什麼G1是好貨,G2是爛貨...

這根本就是你在瞎掰嗎

還有我不是Intel 死忠粉絲,我是SSD死忠粉絲....
朱八 wrote:
照現在 NAND 的...(恕刪)


SSD唯一缺點就是每單位G的價格成本太高,至於壽命的問題MLC也不是那麼脆弱,用個5年以上不是問題---->這是Iintel官方說法,不是我說了算數

HD還不是3~5年就會開始掛了
小仲827 wrote:
我就知道你會提到耐久性(壽命),據側面了解G1跟G2的壽命應該是差不多的,只是臨時google不到相關資料


X25M-G1使用50nm MLC Flash
X25M-G2使用34nm MLC Flash

上面是大家都知道的事實..

而50nm MLC的endurance大約5000次, 34nm的只會更低, 這相信大家也都知道.

所以在同樣controller, 同樣firmware的條件下, G2怎麼可能比G1耐用?(材料就比較差了啊!)

唯一的可能是, intel已經把G2 tune到跟G1相近的性能(read/write, IOPs), 而且34nm的成本低,
當然要鼓勵大家買34nm的啊!

這其實只是策略性的問題, 未來intel一定也會將G1停掉, 全力生產G2. 甚至G3(也許使用3-bit per cell)
matika wrote:
X25M-G1使用5...(恕刪)


SSD壽命跟50nm或是34nm製程沒有絕對關係,請搞清楚

General
Brand Intel
Series X25-M Mainstream
Model SSDSA2MH080G1C1
Device Type Internal Solid state disk (SSD)
Architecture MLC
Dimensions
Height 9.5mm
Expansion / Connectivity
Form Factor 2.5"
Capacity 80GB
Interface Type SATA II
Performance
Max Shock Resistance 1000G
Power Consumption (Active) 0.15W
Power Consumption (Idle) 0.06W
Sequential Access - Read up to 250MB/s
Sequential Access - Write up to 70MB/s
MTBF 1,200,000 hours


General
Brand Intel
Series X25-M
Model SSDSA2MH080G2R5
Device Type Internal Solid state disk (SSD)
Architecture MLC
Expansion / Connectivity
Form Factor 2.5"
Capacity 80GB
Interface Type SATA II
Performance
Max Shock Resistance 1,000 G/0.5 ms
Power Consumption (Active) 150 mW Typical
Power Consumption (Idle) 0.06 W Typical
Sequential Access - Read up to 250MB/s
Sequential Access - Write up to 70MB/s
MTBF 1,200,000 hours

還有G1跟G2的controller 不是同一顆--->34nm X25-M G2使用了新控制器,編號從“PC29AS21AA0”改為“PC29AS21BA0”,不過物理封裝沒有任何變化。
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