meridian wrote:
有差啊edge di...(恕刪)
你的意思是說wafer 中間與邊緣如果都合乎spec,那麼中間切出來的die所做成最終產品其極限值會大於邊緣的die嗎?
也就是說x25-m G2 的規格是讀取250M,寫入70M, 所以中間die性能有可能比[讀取250M,寫入70M]還高囉
如果是這樣理論我還會接受,但如 johnnydee所說的x25-m G1 是中間die好貨,G2是邊緣die的爛貨--->這樣的說法實在無法說服別人的
況且如intel 官網所描述,G2的性能比G1還好喔,所以應該反過來說G2是中間die的好貨吧,G1才是爛貨
