z10100515 wrote:
所以使用3D堆疊技術，同樣體積之下，
可以使用比較舊的製程的TLC來達到同樣的容量，
藉此達到增加P/E值和速度的目的，
後者是用3D nand 3x~5x nm TLC(確切製程我不確定)，
除了三星以外
在目前沒有其他廠的資料的情況下
我不會認為說像美光或東芝的3D NAND會用到多舊的製程
40nm可以做3D NAND(三星)
20nm以下也可以做3D NAND
你不能猜測3D NAND就一定是用好製程
所以3D鐵定好於2D
現在比較合理的預期
美光3D NAND用的不是16nm就是20nm
