硃E藍瞳 wrote:
呵, 原來原廠說ES...(恕刪)
應該是說SANDFORCE賣你這個，OCZ就是買這個。
分不分ES這個就只能問SANDFORCE了，因為基本上買東西只要有原廠的保證和證明，價錢都對，應該沒理由不買。
空軍大胖 wrote:
基本上有圖有真像是網...(恕刪)
亂用顆粒的問題...我覺得到最後大多數廠商都會一樣
目前剩下Intel，美光，Plextor，大家會比較有信心會是什麼顆粒
其他...我看各種house brand都會出籠
我自己其實也用他的Vertex，測的慢但用起來也不錯，而且還塞很滿
兩顆都用快三年了吧，目前都還服役正常，也碰過什麼當機或頓的怪現象
用過他的Agility3一小段時間，但對這台印象真的爛透了
他的論壇確實會亂砍文，假如當時有說清楚真的沒必要這樣砍文
事情反而越抹越黑
Vertex4效能真的很亮眼，但那個寫入曲線在OCZ論壇又是不了了之
原廠一開始的解釋也不清不楚，寫滿一半的速度，有人說不會降
有人就說確實降很慢，而且假如說真的都不會降
那我也真的搞不懂為何晶片本身可以幫Flash顆粒開Turbo
國外的論壇有一個說法，大家姑且聽聽，我也不知道真假
一般MLC的Flash是2bit Cell A跟B，而同個Cell的A/B bit其實屬於不同Page
我們用A（全空），B（寫入1bit）跟C（寫滿2bit）來區分他們
寫第一層A bit時速度非常快，但寫第二層B時，必須把A讀出來，再寫入A+B
這個動作會慢非常的多，一般空Page的使用是交互搭配的，也就是Interleaving存放
韌體會用一個A bit Page(就是空Page)配一個寫過的B Bit Page
所以理想狀態剩下N各A Page，就應該剩下N+1各B Page，也許實際狀況更複雜
但這兩類型的Page的存在本來不應該會相差的太大
所以Flash輸出可以維持一整個大至很均勻的寫入速度。假如透過FTL的編排
將A bit Page的blocks全放在優先區，B全放在後面，就可以造成前半爆速度
後半龜速度的現象。一般來說廠商不這樣做，因為這種作法的全碟效率反而會下降
但假如空碟跑測試，永遠只用到前面的空間，效能就可以非常驚人
但我們想假如GC夠聰明，他應該會盡量讓剩下的空間都是A Page
並且把B整合成C才對，來維持SSD的高效能。假如可以做到這一點，優先啟用A沒什麼不好
例如SSD上1000各Page，我只先寫滿一半，也就是1000各Page都從A變成B
這時候假如休息，GC開始動作，1000各B變成500各C+500A，我這時再開始寫入
仍然是維持高效能，當然假如你一次都寫到超過剩下容量的一半，GC就來不及發揮效用
但SSD的使用狀況其實很少這樣
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