tim901 wrote:
請問是什麼原因?速度...(恕刪)
海盜的Force 3系列等於OCZ的Agility 3系列
屬於第2級，用的是非同步型NAND顆粒
SSD預算夠就盡量直上用同步型NAND顆粒的款
免得後悔
同步和非同步簡單講就是
非同步顆粒在生產測試時達不到和同步型顆粒一樣的最嚴格測試要求退而求其次降低運作水準當次級品賣的
tom06061 wrote:
請問同步於非同步這兩...(恕刪)
非同步顆粒的SSD 在小檔(4KB)效能和隨機讀寫效能上和和同步型顆粒SSD差距較大
以下說明引用
http://bbs.pceva.net/viewthread.php?tid=28211
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SSD所用的NAND快閃記憶體顆粒中區分同步/非同步模式的，目前只有IMFT（即Intel與美光合資的企業）所領導制定ONFI 2.x標準的快閃記憶體才會有此分別
所謂同步/非同步顆粒，它們本質都一樣，都是從同一生產線同一塊晶原上生產出來
所謂非同步顆粒，我們可以判斷它是在原廠檢測中，無法通過所有最嚴格的測試，而在降低性能後（只允許使用非同步，而不使用同步模式），其它質量測試都可通過的顆粒，所以原廠仍把它們作為合格的產品（標記為僅可跑異步模式）出售。
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詳細
http://forum.coolaler.com/blog.php?b=989
pppty86 wrote:
非同步顆粒的SSD ...(恕刪)
「同步和非同步簡單講就是非同步顆粒在生產測試時達不到和同步型顆粒一樣的最嚴格測試要求退而求其次降低運作水準當次級品賣的」
以上這樣的說法是有問題的。
NAND內部可以分成兩個區塊，一個是輸出入單元，一個是記憶單元。輸出入單元負責與控制晶片溝通，將資料由記憶單元讀出或寫入。所謂同步和非同步，指的就是輸出入單元與控制晶片溝通的協定。非同步是既有的傳輸方式，優點當然是向下相容，舊有的控制晶片就可以支援，設計容易；同步是較新的傳輸方式，除了需要新的控制晶片支援，線路設計/NAND封裝方式要考慮的東西也較多。「同步傳輸速度高於非同步，但是不代表壽命比較好」。
相對於INTEL/MICRON提出的ONFI規格，其實SAMSUNG與TOSHIBA的DDR NAND也相類似(SAMSUNG+TOSHIBA的NAND市占率遠高於其他廠商，當然要訂自己的規格)
1.所謂的測試要求，主要的考量當然是記憶單元的可靠度，在這邊嚴格測試才有意義。
2.的確以複雜度來看良率的話，可以進行非同步傳輸，不一定能過得了同步傳輸的測試。但是連遠高於NAND 時脈的DRAM記憶體都能做了，我認為這邊良率差別不是很大。廠商是照計畫生產，不用特別去篩選。
ONFI或是DDR NAND都是將來高速NAND的標準，目前可以說只是處在世代交替的階段。甚至SAMSUNG將來21奈米製程就會取消掉非同步(SDR)，只保留同步(DDR)的傳輸模式。我認為明年年中，同步NAND很快就會普及，現在當然是早買早享受。
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