cbmtvb wrote:
Flash Cell的寫入次數記錄若消失,那即使有備用Cell替代也來不及了吧,因寫入次數過多而損毀的資料還是照樣消失無蹤啊?
不然難道控制晶片可憑空得知哪些Cell曾被寫入頻繁?
以下是美光的參考文件,大概介紹了一下Wear Leveling技術
https://www.micron.com/~/media/Documents/Products/Technical%20Note/NAND%20Flash/tn2942_nand_wear_leveling.pdf

裡面有提到Static Wear Leveling的確會追蹤每個block的週期數(也就是你說的寫入次數記錄),會把使用率低的block資料移到使用率高的block,以均衡block的磨損。
另外這個平均抹寫的技術理論上會拖慢一些效能,畢竟要把資料搬來搬去,會佔用一些控制器的資源,也會造成一些寫入放大,但總體而言是利大於弊。
http://en.wikipedia.org/wiki/Write_amplification

我想Secure Erase只是把供使用者儲存的資料擦除(remove all user data),但Static Wear Leveling需用到的相關資料(不屬於user data)還是會保留下來。