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[敗家了]OCZ VERTEX 4 + 5/7 1.4RC 韌體釋出 寫入提升100%


linczs2000 wrote:
該換個角度想PLEX...(恕刪)


因為照理說控制晶片可以讓寫入更有效率
但充到極限後就無法提升Flash最大的寫入速度
連續寫入扣除掉快取一開始的影響
展現的應當就是Flash真正的連續寫入速度
就算很早期或演算法做的很糟的SSD控制晶片
應當都可以操到Flash連續寫入極限
因為所需要的IOPS很低
這邊測試的ME3寫入速度跟Toshiba Toggled差不多
但同樣使用這種顆粒的機種好像都低得多
所以有人會懷疑那會不會是龐大的快取把成績拉得很高
例如你只測試2gb的寫入時,前面1gb全進快取,只花2秒
後面1gb才因為快取滿了開始回填到Flash裡,花了5秒
可是這樣平均寫入速度就是2000mb/7=300mbps
高於真正Flash能寫入的200mbps
建議可以試著copy大檔計算秒(前提是來源讀取要夠快,得用另一台SSD)
那檔案最好要非常大(還得降低os本身的快取影響)
電腦的記憶體裝小一點(最好測試時只放2gb)

sadsumo wrote:
因為照理說控制晶片可...(恕刪)


好難的測法...至少代表說...快取有發揮作用^^
蔚藍Bill wrote:
好難的測法...至少...(恕刪)


例如你只測試2gb的寫入時,前面1gb全進快取,只花2秒
後面1gb才因為快取滿了開始回填到Flash裡,花了5秒
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
重點在前面省掉的3秒你測試中看不到,丟進DRAM放著,但是從DRAM到FLASH還是會自己花3秒


linczs2000 wrote:
例如你只測試2gb的...(恕刪)


也就是說,廠商偷吃步的作法。

他知道測試軟體預設是測試1000MB容量大小,

所以他把DRAM打上1000MB,

所以跑測試軟體,它都在測試DRAM的速度,資料並沒有測到Flash的深度。

ganymede wrote:
也就是說,廠商偷吃步...(恕刪)


難怪有另一篇測試出來,

各個軟體數據差很大,

因為測試檔案大小各個軟體都不一樣,

導致數據差異這麼大,

硃E藍瞳 wrote:
難怪有另一篇測試出來...(恕刪)


這篇測試的是1.3版軔體的寫入,看起來很正常都在180MB/S~200MB/S之間

讀取差異大的原因應該是設定的區塊大小造成的

1.4版軔體是讓寫入能力爆增到380MB/S~420MB/S之間

大家懷疑的是INTEL單顆8GB的ME3顆粒的寫入有如此威猛嗎

linczs2000 wrote:
這篇測試的是1.3版...(恕刪)


恩那是1.3版的啦 我第一篇有測了
那用CrystalDiskMark 設定4000MB 這樣應該可以測試出來了吧

512K / 4KQD32 明顯降低了 回到..初始狀態XD 還是有比1.3好 讀取也變快!!檔案大的關係吧?



蔚藍Bill wrote:
5/7 OCZ 釋出...(恕刪)


直接補充 有幾個限制

1.系統要W7/VISTA

2.主機板要支援AHCI 而且要打開 不能用要更新的這顆SSD當系統碟

3.最重要,更新完要按關機,不能按重新啟動
linczs2000 wrote:
這篇測試的是1.3版...(恕刪)


還是回歸到一件事情,Linczs大提出的,如果ME3的flash特性沒那麼大寫入,請問他數據怎麼出來的。
但是,說真的要測出真正的顆粒特性,就要知道,要怎樣測出來"怎麼樣超出廠商用的技巧",但是多數的使用者,誰會那樣用SSD(EX:超大量讀寫),所以有任何意義嗎?
反正正常用,數據自己也看了喜歡,沒有什麼好不好的問題。
大家都在價格、效能和品牌上,喜歡哪一款用就對了。

蔚藍Bill wrote:
恩那是1.3版的啦 ...(恕刪)


還是有寫入360mbps啊
表示其實Intel的顆粒真的有這麼猛囉.....
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