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IMF 20nm準備量產,SSD明年將是有趣的一年


dennis168 wrote:
受教了,感謝大大的分...(恕刪)


其實很簡單,幫你翻譯加上自己的見解如下:

1. 製程往前,初期都在調良率,所以一片Wafer能用的Die有限,中後期才會變好
2. 良率的高低,在於標準訂的高低
3. Flash製程往前,寫入次數相對減低,也就是壽命降低(Flash壽命不看讀取)
4. 有些廠商拿1K寫入次數的來做,有些標準高的廠商拿3K寫入的來做,但是flash的價格又不一樣
所以,有些品牌賣便宜,有些品牌賣貴,這占了些因素
5. 20NM 量產,對於controller廠商來說,又要痛苦一次了
2012年, Samsung 21nm/Hynix 20nm/Toshiba 19nm/IMFT20nm,
Samsung Line 16月產出12" 275萬片, Toshiba Fab 5只開出60%產能,
50%是Sandisk, Fab 5產能=(Fab 1+Fab 2+Fab 3+Fab 4)x1.5
Hynix 冀望F20能解決F26 Portential lost issue,
IMFT L84/L85 Endurance還沒解決,
所以.........
Intel 320使用1000 P/E,保修延至五年
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