點我看報導
IMF 20nm的量產，應該預計明年的SSD用20奈米的最低容量會是現在的兩倍吧(文章內的說法是連效能都是兩倍)，也就是120GB(8顆)起跳(目前25nm好像最低都60GB)(希望120GB價格可以跌破4000，哈哈。)。期待ing。
看起來說不定20nm的120GB寫入可以再創新高了喔，不過一切都等真的有產品出來再說吧。
如果效能加備是真的，這個也意味，240G就可以達到SATA3的滿載了吧@@。
看起來最近還蠻有趣的，東芝的24nm，三星的27nm，IMF的20nm，明年將是SSD有趣的一年。
但耐用度理論上是可能會比較低是沒錯啦! 如果仍維持一顆電晶體多位元
原理 : flash叫floating gate 簡單講可以想成 一般大家所知的電晶體下面再加一個存電荷的空間...
而最下面的電荷通道與存電荷的地方中間則是用氧化膜隔開（但寫入卻是用電壓的正負吸排力..用正負的吸排力將電荷從通道中"硬擠進"/"硬擠出"去穿過原本應該是保護電荷不流失的氧化層..所以當"寫入"次數越多,進出次數就越多..而哪種東西能長期忍受硬這樣搞而不壞掉？要穩定隔絕長期封住電荷..但又常常必須忍受寫入時被用高壓去硬搞他去穿過它？？ 這就是為何flash寫入有次數限制..但讀取比較沒差因為不需要硬擠或排,所以寫是高壓而讀是低壓！剩下還有興趣就只好請各位看書囉！～因為寫起來太多了且要看之前有了解多少）
容量問題:一（single cell多少bit)
另如果電壓控制能力越強..製程不變容量也可倍增...傳統是有存跟沒存算0/1..但如果可精準控制就可以用不同電量讓一顆電晶體變成有00/01/10/11的能力(粗略講就是以前水池不是空就是滿..現在能精準變成有分空1/3滿,2/3滿,全滿四種..那就變成single cell 2 bit 容量就多一倍...single cell 3 bit..4bit...也以此類推)
所以20nm的電壓控制一開始絕不會比以前好,故容量不增反減也可能～直到穩定才行！且耐用度基本上是一定會比較差! 因為線如果真做小代表高度比例會變高...講起來有點複雜！偏電學邏輯..所以就不寫了～～
容量問題:二(真實製程?奈米)
另一部分...基本上flash的製程算法不是如代工或是DRAM那樣以線寬來算...很多只是講設計!
（其實用傳統製程來算根本可能還停留在40-50奈米以上也可能）..
flash製程其實都是在講design幾nm,而不是線寬幾nm..所以我用100nm製程,但設計的金屬層最大面積啦,電路走法啦......這些rule刻意跑去遵守30nm的規範! 就叫30nm～ 所以會發生大家都是30nm,但實際製程卻有40/50/60/70nm的問題~~
So..有可能發生這家的30奈米事實上比另一家50奈米製程的線寬還大而容量還低的事情！
總結就是flash看公布的製程來算容量是不準的～要看的是single cell 幾bit與真實製程能力才會知道～長期來看一定是會先縮小再提升電壓控制穩定能力,而兩個都要辦到才行..所以要說SSID很快就會大幅降價是機率不高啦～ (flash製程真正麻煩的是要確保"這幾兆個中的每一個"電晶體的各項表現都要趨近一致表現..所以很要調一段時間..且量產?一萬片? 在標準型產品中那叫少量生產...這類沒超過3/4萬片以上都不太能影響市場價格(因為如果製程真的穩定..才會投到3/4萬片)...所以頂多最近市面上會開始出現一些低價但問題很多的雜牌SSID!)．．．．
良率純粹是看用什麼標準去測..低標準就會有好良率,高標準就低良率！
但剛開始絕不會用高標準去測（因為那樣根本過不了也不能賣）
而這些低標準的就會賣給二,三線以下的廠商～（若真有人買來做SSID用,下場就很慘囉！）
等真的穩定了才會用高標準測,而這些才真的能給一線廠或SSID用！
所以隨身碟價格最近應該就會跌,但SSID至少短期內還是不太可能～
(所以會看到有分2千/5千/10萬次寫入的差異..而甚至有些更爛的乾脆當ROM賣..)
So..良率數字才會說是"半"說謊..
另一不敢講的是公布良率的數量定義...是裡面最高的一片？還是最高的一批？還是平均良率？
（若平均良率夠高..一般是一定會講平均良率..現沒提這字眼就代表講的是前兩者）
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