三星開發8層HBM4E產品，目標直指英偉達的NVHBM供應。
https://news.futunn.com/en/post/78538869/samsung-develops-8-layer-hbm4e-product-targeting-nvidia-s-nvhbm?level=1&data_ticket=1788945446164055三星電子正在開發一款符合英偉達要求的8層HBM4E產品，旨在確保其在英偉達定制高頻寬記憶體NVHBM的供應中佔據關鍵地位。該產品降低了堆疊高度，相比最初計劃的12層和16層版本，NVIDIA的目標速度規格為17-18 Gbps，比三星首批HBM4E樣品的14.4 Gbps速度高出約20%。
根據 ChainCatcher 報導，這種 8 層設計是專門為 NVIDIA 公開發布的 NVLink 優化型 NVHBM 而客製化的。此舉被視為降低製造複雜性和良率壓力的一種方式，為透過增加堆疊層數來提高產能的傳統方法提供了更可行的替代方案。這也被視為 NVIDIA 應對記憶體短缺策略的一部分。
預計NVIDIA的新一代AI GPU Rubin Ultra將採用NVHBM技術，該產品計劃於明年發布。屆時，GPU間連接數將從最多72個擴展到576個。業內人士表示，三星在HBM4驗證過程中展現了業界最高的傳輸速度，這可能使其在速度競爭中佔據優勢。
在客製化 HBM 市場，三星被認為比 SK 海力士和美光更具競爭力，因為 NVHBM 需要 DRAM 和邏輯晶片的生產能力，而三星可以以整合的方式提供這些能力。
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