Intel是記憶體技術起價的，就算40年前退出了記憶體生產，但在技術研發下一直沒拉下，各種技術標準都少不了Intel的推動，在當前的HBM記憶體中Intel話語權不高，這個XBM記憶體（eXtended Bandwidth Memory）有機會讓Intel重掌大權。
XBM記憶體已經不是第一次露出苗頭了，最新曝光的是一份編號為20260191095的專利申請，2024年12月26日申請的，公開時間是今年7月2日。
根據這個專利，Intel指出當前HBM記憶體面臨的技術挑戰，包括面積被TSV侵佔，面積效率越來越低，布線複雜，功耗越來越高，未來難以為繼。
Intel提出的XBM記憶體方案則是帶後端電晶體的超高頻寬儲存器，晶片堆疊中的每個儲存晶片包含一個電晶體、一個電容（1T1C）、後端動態隨機存取儲存器（DRAM）。
傳統DRAM記憶體中電晶體在FEOL前端中，現在把它做到後端金屬層中，面積效率大增，再通過更多的TSV通道來提升總頻寬。
最終做出來的XBM記憶體面積效率高，功耗更低，而不像是HBM後續標準那樣繼續在高頻率上做文章。
這篇專利申請沒有提到XBM記憶體的具體指標，結合裡面提到的參數來推測，XBM記憶體預計會比當前的HBM4提升一倍的頻寬、容量，但該技術面向的至少是2030年之後的市場，屆時會有HBM5、HBM6，單論技術指標應該不佔優勢了。
總的來說，XBM不太可能直接取代HBM記憶體，而是Intel換了個方向開闢高性能記憶體之路，希望用後端電晶體工藝突破AI最急迫的記憶體牆問題，現在說技術好不好還太早，等過幾年有產品了再看。
