多人用的產品,廠商會競爭,開發出更便宜的好貨
jayjayjaychow wrote:
多人用的產品,廠商會...(恕刪)
一般記憶體就算了,HBM很難
它的晶圓消耗量是一般記憶體所需的三倍,基本上就不可能多便宜,所以過往才大多用在商業級產品上
甚至在未來可能堆疊層數更多下成本還會更高
為什麼大量需求反而讓生產成本難降?
HBM不像傳統DRAM那樣容易靠規模經濟快速降本,主要有幾個結構性原因:
製程極度複雜,良率提升慢
HBM是3D堆疊(目前HBM3E多為8-12層,HBM4朝16層推進),每層都要做TSV(矽穿孔)、先進封裝(如TCB或Hybrid Bonding),這比傳統平面DRAM多出數倍的製程步驟。
良率(yield)目前仍低於傳統DRAM(尤其高層堆疊時,疊越高良率掉越快)。
生產1片HBM晶圓的產出,大約只等於傳統DRAM的1/3~1/4(因為die小、堆疊耗時、測試嚴格)。
→ 即使需求暴增,廠商也無法快速把產量拉高,單位成本短期內難以下降。
產能優先分配給HBM,排擠傳統DRAM
三巨頭(SK海力士、三星、美光)把先進節點(如1b/1c nm)和潔淨室空間,大量轉向HBM,因為HBM毛利率高(常超過50-60%),遠高於一般DDR5。
2026年HBM預計佔總DRAM晶圓產出的23%以上(比2025年的19%還高)。
結果:HBM本身供給仍緊繃(2026年產能幾乎全數售罄,甚至談2027-2028),價格持續漲。
連帶一般DRAM也缺貨,價格跟著漲80-90%(2026 Q1已見)。
目前市場實況:價格狂飆,不是成本下降
HBM3E/HBM4單價已大幅上調(2026訂單漲20%以上,有些報導說HBM4單顆達500-700美元)。
整體DRAM價格2026 Q1比2025 Q4漲80-90%,HBM更貴(是DDR5的4-5倍)。
廠商獲利爆表:SK海力士、三星、美光2025-2026財報利潤暴增,毛利率創高,但這是因為賣價高,不是生產成本降。
長期來看,成本有機會下降嗎?
有,但時間點大概在2027年之後,而且幅度有限:
良率改善 + 規模經濟:隨著HBM4/HBM4E量產成熟(三星、SK海力士已在推進),先進封裝(如Hybrid Bonding)良率拉高,單位成本才有機會逐步下降。
新產線投產:美光在Idaho建新廠(2027-2028投產),三星/SK也擴產,但建廠周期長(2年以上),且多數仍優先HBM。
技術迭代:每代HBM容量/頻寬提升(die shrink + 層數增加),bit成本理論上會降,但AI需求成長更快(2026 HBM需求年增70%以上),供需缺口持續存在。
總結:短期(2026年內)大量需求不會讓HBM生產成本下降,反而推高售價和利潤。這是典型的「結構性短缺」——需求遠超供給彈性,廠商優先高毛利產品,導致整體記憶體生態成本上漲。等到2027-2028新產能陸續上線、良率穩定,才可能看到per-bit成本緩步下降,但如果AI需求持續爆發,價格高檔盤整的機率更大。
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