美光Micron推出32GB DDR4 NVDIMM混合式記憶體

美光Micron在今年Supercomputing 2017超級電腦運算大會上發表一款32GB DDR4 NVDIMM(non-volatile dual in-line memory module)混合式記憶體。其中主要特色除了具備32GB容量的DDR4記憶體顆粒之外，還整合了一顆64GB容量的SLC Flash儲存顆粒，讓記憶體在斷電的狀態仍然能夠儲存資料。而其中的DRAM部分除了具備32GB容量之外，還能夠達到2933MT/s傳輸頻率以及23.47GB的傳輸頻寬。





這邊稍微解釋一下什麼是NVDIMM，簡單來說就是DRAM+Flash的記憶體設計，之所以會有這樣的設計，主要是因為一般DRAM雖然有著傳輸速度快與延遲低的優點，只是一旦系統斷電之後，其中的資料也就隨之發散消失。而Flash儲存記憶體雖然在斷電之後仍能夠保存資料，但傳輸速度與延遲時間都與DRAM有著明顯的差異，於是衍生出一種同時搭載DRAM與Flash的NVDIMM混合式記憶體。

NVDIMM混合式記憶體目前由JEDEC所制定的標準NVDIMM-N、NVDIMM-F以及NVDIMM-P三種，其中NVDIMM-N混合式記憶體標準的運作方式在系統運作時就跟一般DRAM記憶體無異，比較不同的地方就是當系統斷電的時候便會將DRAM資料寫入其中的FLASH儲存顆粒保存，確保資料不會發散消失，而美光Micron這次推出的DDR4 NVDIMM混合式記憶體正是採用這種標準設計的產品。

另外一種NVDIMM-F記憶體則是全部採用FLASH儲存顆粒，藉此讓資料不會因為斷電而消失，只是傳輸速度與延遲時間就沒有一般DRAM來得好。至於最後一種NVDIMM-P標準跟NVDIMM-N混合式記憶體一樣都是由DRAM與FLASH顆粒所組成，比較不同的地方就是NVDIMM-P混合式記憶體在實際運作時會透過其中的控制器來分配資料寫入DRAM或是FLASH，讓FLASH不是只有斷電時儲存資料的用途，讓混合式記憶體有更好的使用效率，但問題是那些資料該寫入DRAM或該寫入FLASH的命中率判斷就相當考驗軟硬體廠商的研發能力。



NVDIMM這種產品雖然同時具備了DRAM快速低延遲以及FLASH不會發散資料的優點，但因為NVDIMM在斷電之後會有寫入資料至FLASH的動作，所以目前的NVDIMM記憶體還是必須要外接一個供電裝置來確保資料能夠穩定安全寫入FLASH。